英特爾開發(fā)了業(yè)界首個45納米高-K柵介質(zhì)+金屬柵極工藝，與其65納米制造工藝相比，它能提供2倍的芯片上晶體管密度，漏電量減少10倍，切換頻率提高27%�；谶@項技術(shù)，英特爾開發(fā)了一款高性能、低功耗的 SRAM。英特爾已經(jīng)推出了32款基于其45納米高-K金屬柵極技術(shù)的產(chǎn)品。

英特爾的45納米制程SRAM充分利用了高-K柵介質(zhì)+金屬柵極晶體管技術(shù)在功耗和性能等規(guī)模上的顯著優(yōu)勢，并且它支持比原來大50%的片上L2（6MB）緩存，用于第二代英特爾Core 2 Duo和Core 2 Quad處理器的快速大量生產(chǎn)。小型SRAM單元有利于在處理器內(nèi)集成更大容量的緩存，從而幫助其提高性能。

英特爾的SRAM設(shè)計為大批量生產(chǎn)展示了穩(wěn)健時間控制配置，與高效的功率管理電路一起，使電路能更好地適應(yīng)型號變化，并有助于提高生產(chǎn)成品率。

英特爾開發(fā)了第二代動態(tài)休眠技術(shù)，進(jìn)一步最大限度地降低大型緩存在所有進(jìn)程、電壓和溫度變化狀態(tài)下的功耗。這一增強(qiáng)型設(shè)計使得英特爾能進(jìn)一步降低片上緩存的功耗。
英特爾還開發(fā)了一種叫做動態(tài)體偏壓（dynamic body biasing）的新型電路技術(shù)，可進(jìn)一步提高SRAM單元未來的可擴(kuò)展性。

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