（產(chǎn)通社，6月13日訊）中國一流晶圓專工企業(yè)——和艦科技（蘇州）有限公司與全球領(lǐng)先的非揮發(fā)性記憶體設(shè)計公司——常憶科技共同宣布，已成功開發(fā)擁有更高的耐久力和更小的記憶體面積等優(yōu)點(diǎn)的0.18um浮動閘嵌入式閃存記憶體技術(shù)。

通過與常憶科技的密切合作，和艦完成了此項(xiàng)非揮發(fā)性記憶體工藝的開發(fā)和品質(zhì)驗(yàn)證，同時開發(fā)了不同存儲密度的閃存記憶體并達(dá)成高良率目標(biāo)。目前該技術(shù)已被多家和艦客戶所采用并投產(chǎn)。

和艦科技市場暨業(yè)務(wù)副總裁張懷竹先生表示：“此次成功開發(fā)0.18um嵌入式閃存記憶體技術(shù)，不僅表明了和艦正不斷提升在快速成長的嵌入式非揮發(fā)性記憶體市場的領(lǐng)先地位，而且體現(xiàn)了我們能為客戶提供最具成本優(yōu)勢和可靠度的解決方案�！�

常憶科技總裁暨首席執(zhí)行官王筱瑜先生表示，“常憶科技獨(dú)有的2T-PMOS單元結(jié)構(gòu)專利是體現(xiàn)這項(xiàng)新嵌入式閃存記憶體顯著優(yōu)勢的重要因素，例如低功耗，強(qiáng)抗干擾能力以及最小的記憶體面積。最值得一提的技術(shù)成就是在-40°C到105°C的溫度范圍內(nèi)，以及在20萬重復(fù)寫入/擦除次數(shù)的嚴(yán)苛條件后，數(shù)據(jù)保存時間在高溫下至少可達(dá)20年�！�

和艦科技研發(fā)處處長林志光博士表示：“這一新的0.18um嵌入式閃存技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)的0.18um CMOS工藝完全兼容，使得和艦?zāi)壳?.18um制程所有的知識產(chǎn)權(quán)庫和設(shè)計單元資料庫能夠與之實(shí)現(xiàn)整合。而且同一個記憶體經(jīng)客制化可允許多個不同擦除單位的存在，從而提升系統(tǒng)配置的彈性，滿足客戶在這方面的特殊需求�！�

林博士指出：“從一些重要的指標(biāo)諸如使用壽命及其可靠度，耐久力，存取時間，編程速度，擦寫速度，功耗，工作電壓，性能以及良率來看，該項(xiàng)技術(shù)在目前同類技術(shù)當(dāng)中居于領(lǐng)先的地位。它的競爭優(yōu)勢在于，對需求在8兆位范圍內(nèi)非揮發(fā)性內(nèi)建記憶體的大多數(shù)內(nèi)嵌式系統(tǒng)應(yīng)用，提供最小的記憶體面積。此外這項(xiàng)工藝具備可升級性，它的下一代工藝基于更先進(jìn)的制程，目前正在研發(fā)當(dāng)中，預(yù)期其單元面積將縮小至少40%。

和艦科技總裁徐建華先生表示：“這是一個管理優(yōu)化和執(zhí)行確實(shí)的項(xiàng)目，通過與常憶科技的緊密合作，我很高興看到和艦進(jìn)一步完善了其嵌入式非揮發(fā)性工藝技術(shù)平臺。在蓬勃發(fā)展的嵌入式非揮發(fā)性記憶體市場中提供令客戶滿意的解決方案和服務(wù)，將有助于提升和艦市場競爭力與鞏固市場領(lǐng)導(dǎo)地位。

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