1、影片及圖像處理記憶體

(1)Video RAM(VRAM)：VRAM是影像版本的FPM技術(shù)，VRAM通常具有兩個(gè)而非一個(gè)接口，使記憶體能夠運(yùn)用一個(gè)頻道來重新整理螢?zāi)唬硪粋�(gè)來改變螢?zāi)簧系挠跋�。對影片程序來說，它比一般的DRAM更有效率，但是由于影片記憶體晶片的使用量較主記憶體晶片少，它的價(jià)格一般來說也較昂貴，所以，系統(tǒng)設(shè)計(jì)師可能會選擇在影片系統(tǒng)中使用一般的DRAM，乃是依價(jià)格或效能表現(xiàn)的要求而決定。

(2)Window RAM(WRAM)：WRAM是另一種應(yīng)用在使用大量圖像系統(tǒng)中的雙接口記憶體，它與VRAM稍微不同的地方在于它較小的指定顯示接口以及它支援EDO功能。

(3)Synchronous Graphics RAM(SGRAM)：SGRAM是一個(gè)包括圖像讀寫的SDRAM特制影片處理之產(chǎn)品。SGRAM同時(shí)也讓數(shù)據(jù)能夠以群組而非單個(gè)的方式讀取以及修改，這項(xiàng)功能減少記憶體必須執(zhí)行的讀寫動作，使處理過程更有效率，并因此提高圖像控制器的效能表現(xiàn)。

(4)Base Rambus以及Concurrent Rambus：早在成為主記憶體的競爭者之前，Rambus技術(shù)已經(jīng)被應(yīng)用在影片記憶體上。目前的Rambus主記憶體技術(shù)稱為 Direct Rambus兩項(xiàng)較早期的技術(shù)分別稱為Base Rambus以及Concurrent Rambus這兩種形式的Rambu，早在幾年前就已被應(yīng)用在某些工作站的影片程序以及電視游樂器系統(tǒng)，例如任天堂64上。

2、其他記憶體

(1)Enhanced SDRAM(ESDRAM)：為了提高標(biāo)準(zhǔn)記憶體模組的速度與效率，某些制造廠將一小部份的SRAM直接合并于晶片上，制成一個(gè)晶片上的快速緩沖儲存區(qū) ESDRAM本身是一個(gè)SDRAM加上一個(gè)小容量的SRAM快速緩沖儲存區(qū)，使運(yùn)作速度達(dá)到200MHz。就如同外部SRAM快速緩沖儲存區(qū)，快速緩沖儲存DRAM的目標(biāo)在于將最常使用的數(shù)據(jù)置于SRAM Cache以將來回從速度較慢的DRAM存取的動作減到最少。在晶片上的快速緩沖儲存區(qū)的其中一項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)在于它能夠給予SRAM與DRAM間更寬的匯流排，并實(shí)際提高DRAM的速度與頻寬。

(2)Fast Cycle RAM(FCRAM)：FCRAM是由Toshiba與Fujitsu 為特殊設(shè)備系統(tǒng)所共同研就開發(fā)的，例如高階服務(wù)器，列印機(jī)與電信轉(zhuǎn)接系統(tǒng)。它包括記憶體陣列分割以及內(nèi)部流水線設(shè)計(jì)以加速隨機(jī)存取以及減少電力消耗。

(3)SynLink DRAM(SLDRAM)：雖然目前已被視為過時(shí)，SLDRAM為一些DRAM制造廠在90年代末期共同研發(fā)以取代Rambus技術(shù)。

(4)Virtual Channel Memory(VCM)：由NEC所開發(fā)，VCM技術(shù)使不同“群”的記憶體能夠利用本身的緩沖存儲器獨(dú)立與記憶體控制器通訊。由此，不同的系統(tǒng)操作便能夠分配到自己的“虛擬通道(Virtual Channel)”，而和一項(xiàng)操作相關(guān)的信息便不與其他同時(shí)執(zhí)行之操作共用緩沖存儲器空間，使系統(tǒng)效率更高。

(5)快閃記憶體(Flash Memory)：快閃記憶體是一種固態(tài)，不易揮發(fā)，可復(fù)寫的記憶體，其運(yùn)作方式就像隨機(jī)存取記憶體與硬盤的混合體。就像DRAM，快閃記憶體將數(shù)據(jù)位元儲存在記憶體單位(cell)中，但是跟硬盤一樣，當(dāng)電源關(guān)閉后數(shù)據(jù)仍保留在記憶體上，由于它的高速，持久性，以及低電壓需求，快閃記憶體非常適合在許多設(shè)備中使用，例如數(shù)碼相機(jī)、移動電話、列印機(jī)、掌上型電腦、呼叫器，以及錄音機(jī)。

3、下一代記憶體

在下一代記憶體的開發(fā)中，強(qiáng)電介質(zhì)記憶體MRAM(磁膜RAM)、OUM(雙向一致記憶體)是最有力的修補(bǔ)者，目前多家公司都進(jìn)行了產(chǎn)品化。不過各家公司的產(chǎn)品戰(zhàn)略有所不同，其產(chǎn)品或邏輯電路與強(qiáng)電介質(zhì)記憶體結(jié)合而成系統(tǒng)LSI，或做成替代EEPROM、記憶體及DRAM的單個(gè)記憶體。

強(qiáng)電介質(zhì)記憶體(FERAM/FRAM)為非易失性記憶體，除了像DRAM及SRAM一樣無需數(shù)據(jù)保持電源外，比起同樣非易失的閃速記憶體及EEPROM來，在寫入時(shí)間、寫入電壓、耐改寫性(寫入次數(shù))、數(shù)據(jù)保存時(shí)間方面也十分優(yōu)越。在晶體管組成上，相對于通常EEPROM的2晶體管/單元，SRAM的6晶體管/單元，它可以1晶體管/單元。此外，EEPROM，閃速記憶體還需要數(shù)據(jù)消去操作，強(qiáng)電介質(zhì)記憶體卻不需要。

（1）MRAM

MRAM是采用磁膜來保存的記憶體，最先達(dá)到產(chǎn)品化的是Honeywell。該公司從1999年開始交付采用GMR元件的MRAM。

不過，GMR元件在原理上除讀出、寫入時(shí)間長外、還有難以高集成化的問題，故不大具有替代已有記憶體的優(yōu)點(diǎn)。而采用TMR元件的MRAM都卻具備可高速、高集成的特點(diǎn)，故有可能替代閃存和DRAM。

參與MRAM的生產(chǎn)廠商為數(shù)不少，有IBM、Motorola、Cypress Semiconductor、NEC、東芝、Sony、三星電子、Infineon Technologies、Micron Technology、ST等，其中，Motorola 2003年下半年交付采用TMR元件的MRAM。NEC 電子與東芝共同進(jìn)行MRAM的開發(fā)，預(yù)定2005年交付MRAM產(chǎn)品。此外，IBM、Cypress等預(yù)計(jì)2004年以后進(jìn)行產(chǎn)品化。

MRAM被認(rèn)為是強(qiáng)電介質(zhì)記憶體最大的競爭對手，更勝于強(qiáng)電介質(zhì)記憶體的期望是取代DRAM的用途。它不僅性能上不遜色于DRAM，而容易高集成化是最重要的原因。不僅如此，強(qiáng)電介質(zhì)記憶體是針對0.25mm等工藝進(jìn)行批量生產(chǎn)，而MRAMA采用0.18mm之后的工藝批量生產(chǎn)，在細(xì)微化上也更為有利。Motorola04年后開始生產(chǎn)的MRAM內(nèi)置系統(tǒng)LSI采用0.18mm工藝，裝入32MB容量的MRAM。今后，大容量化的進(jìn)展，若能開發(fā)成功256M、512M的產(chǎn)品，無疑將成為威脅DRAM的產(chǎn)品。不過，也還有一些課題。一個(gè)是較之DRAM其單元面積大，此外，生產(chǎn)成本也高一些。

（2）OUM

OUM(Ovonics Unified Memory)是美國Ovonic公司開發(fā)的記憶體技術(shù)，采用了CD-ROM所采用的碳族合金。碳族合金具有在非結(jié)晶狀態(tài)時(shí)電阻值增高，在結(jié)晶狀態(tài)下電阻值下降低的特性。通過控制該兩種狀態(tài)，可實(shí)現(xiàn)1和0的記憶保持。其主要特點(diǎn)是器件結(jié)構(gòu)簡單，可比DRAM降低成本，存儲區(qū)域及單元面積小，可抑制裸片尺寸等。此外，耐改寫性1013，存儲保持時(shí)間10年，待機(jī)電源約1mA，功能約30mW等，比之MRAM、FERAM也不遜色。

由于如此優(yōu)越的性能，日本韓國北美等許多半導(dǎo)體廠商早就在探索強(qiáng)電介質(zhì)等新一代記憶體的產(chǎn)品化了，不過，目前仍未實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。其最大的原因在于強(qiáng)電介質(zhì)膜的成膜工藝尚未成熟到適合批生產(chǎn)的水平。目前進(jìn)入產(chǎn)品化(含樣品化)的僅限于部分廠家，即富士通、松下電器、羅姆、Infineon Technologies、Ramtron International、Hynix、Semiconductor等。不過，各公司的產(chǎn)品戰(zhàn)略有所不同，富士通及松下電器著力于邏輯電路與強(qiáng)電介質(zhì)記憶體混合的系統(tǒng)LSI，而Ramtron及Hynix則瞄著替代EEPROM、閃存、DRAM的單個(gè)記憶體。

系統(tǒng)LSI是日本廠商傾力以往的領(lǐng)域，其最大的旗手是富士通。該公司從1999年底便領(lǐng)先各家公司進(jìn)行了強(qiáng)電介質(zhì)記憶體的產(chǎn)品化，正在實(shí)現(xiàn)電介質(zhì)記憶體與CPU、掩膜型ROM、SRAM等單片化的系統(tǒng)LSI產(chǎn)品。

系統(tǒng)LSI安裝強(qiáng)電介質(zhì)的記憶體的用途中最期待的是IC卡。比起信用卡、現(xiàn)金卡等已有的磁卡來，IC卡除可存儲大容量信息外，安全管理也極佳。現(xiàn)金卡是帶著走的財(cái)產(chǎn)，失落時(shí)的安全管理當(dāng)然不夠。IC卡已實(shí)際用于鐵路車票及電子現(xiàn)金等支付領(lǐng)域，今后隨著基礎(chǔ)設(shè)施的擴(kuò)充完善，將漸普及開來。

目前針對IC卡的程序記憶體廣泛采用EEPROM，采用強(qiáng)電介質(zhì)記憶體的情況尚不多見。其主要原因之一是強(qiáng)電介質(zhì)的記憶體是一項(xiàng)新技術(shù)，產(chǎn)品的認(rèn)知度還低。另外較之EEPROM還有生產(chǎn)成本高一些的缺點(diǎn)。

但是另一方面，今后卻可能把下載大容量數(shù)據(jù)之類的使用方法正規(guī)化，其有力的應(yīng)用就是多用途卡。所謂多用途卡就是以一張卡來完成過去現(xiàn)金卡、信用卡、ID卡、針對交通機(jī)構(gòu)的支付卡等需要多張卡的任務(wù)。由于一張卡中存儲了每個(gè)人的個(gè)人數(shù)據(jù)，當(dāng)然安全是最重要的，而下載龐大的數(shù)據(jù)時(shí)的下載時(shí)間也就重要了。因此，寫入速度比EEPROM快一萬倍的強(qiáng)電介質(zhì)記憶體是人們所希望的。而就生產(chǎn)成本來說，隨著設(shè)計(jì)線寬的縮小，也可能下降到與EEPROM相當(dāng)或更低。富士通已開發(fā)完了強(qiáng)電介質(zhì)膜小型化困難所在的0.18mm工藝技術(shù)，原本在性能上具有優(yōu)勢的強(qiáng)電介質(zhì)記憶體可能由此步入坦途。

采用強(qiáng)電介質(zhì)記憶體的例子有富士通為巖千縣水市開發(fā)的Internet綜合行政信息系統(tǒng)。該系統(tǒng)利用ICA卡進(jìn)行本人認(rèn)證，在市內(nèi)2處設(shè)置的觸摸屏信息終端上，即使在下班時(shí)間及休息日也可受理居民選票及印鑒證明書等的自動交付服務(wù)。而單個(gè)式記憶體是日本以外廠家尤其下功夫的領(lǐng)域。Ramtron正在生產(chǎn)4K-256BKB的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)了替代EEPROM的容量，預(yù)計(jì)今后進(jìn)一步大容量化，還將替代閃速記憶體。

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