【產(chǎn)通社，12月27日訊】杭州士蘭微電子股份有限公司（Hangzhou Silan Microelectronics CO.,LTD.）官網(wǎng)消息，其AC-DC產(chǎn)品線又推新品：應(yīng)用于開關(guān)電源的內(nèi)置高壓MOSFET電流模式PWM+PFM的AC/DC控制器SD6835。該芯片符合能源之星2.0標(biāo)準(zhǔn)，具有低功耗、低啟動(dòng)電流和較低的EMI，輸出電壓和極限輸出功率均可調(diào)節(jié)等特點(diǎn)。目前，該新品可以提供的功率范圍為：寬電壓范圍情況下封閉式適配器20W，開放式電源24W，窄電壓范圍情況下封閉式適配器22W，開放式電源26W。

產(chǎn)品特點(diǎn)

相比于士蘭微電子前期推出的產(chǎn)品，SD6835內(nèi)置了極限輸出功率補(bǔ)償電路，可以平衡寬電壓范圍的極限輸出功率；也內(nèi)置斜坡補(bǔ)償電路和CS異常過流保護(hù)，分別可以適應(yīng)更寬的變壓器應(yīng)用和改善短路反峰值。

SD6835采用了多項(xiàng)士蘭微電子自主研發(fā)的專利技術(shù)，如交錯(cuò)式頻率抖動(dòng)技術(shù)和峰值電流補(bǔ)償技術(shù)等。其中交錯(cuò)式頻率抖動(dòng)技術(shù)可以使得芯片振蕩頻率不斷變化，以減小芯片在某個(gè)單一頻率的對外輻射，并使振蕩頻率在一個(gè)很小的范圍內(nèi)變動(dòng)，從而可以有效地降低EMI，簡化EMI設(shè)計(jì)。峰值電流補(bǔ)償技術(shù)可以抑制峰值電流的過沖，還可以在電路初始化后有效地減小芯片啟動(dòng)時(shí)變壓器的應(yīng)力，實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)功能。這些專利技術(shù)的應(yīng)用使得該產(chǎn)品在市場同類產(chǎn)品的競爭中占據(jù)優(yōu)勢。

同時(shí)，該新品具有較好的性能特性，可以根據(jù)輸出的負(fù)荷情況調(diào)節(jié)開關(guān)頻率（25-67KHz）和峰值電流，可以通過輕負(fù)載的降頻模式和峰值電流控制功能提供更高的效率，也可以通過讓芯片在待機(jī)模式下進(jìn)入打嗝模式降低芯片的待機(jī)功耗。

此外，SD6835內(nèi)部集成了各種異常狀態(tài)保護(hù)功能，以保證芯片正常的工作狀態(tài)。包括欠壓鎖定，過壓保護(hù)，過載保護(hù)，過溫保護(hù)和脈沖前沿消隱功能。在芯片發(fā)生保護(hù)以后，芯片可以不斷自動(dòng)重啟，直到系統(tǒng)正常為止。另外，芯片內(nèi)置CS異常過流保護(hù)，當(dāng)CS超過特定值時(shí)開關(guān)不輸出，低于此值時(shí)，下一個(gè)周期即可開關(guān)解鎖。

供貨與報(bào)價(jià)

查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.silan.com.cn。