【產(chǎn)通社，11月27日訊】意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics；NYSE股票代碼：STM）官網(wǎng)消息，其STGAP3S系列碳化硅（SiC）和IGBT功率開(kāi)關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。 


產(chǎn)品特點(diǎn)


STGAP3S在柵極驅(qū)動(dòng)通道與低壓控制和接口電路之間采用增強(qiáng)型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓（VIO）耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）達(dá)到200V/ns。通過(guò)采用這種的先進(jìn)的電隔離技術(shù)，STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動(dòng)化、家電等工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的可靠性。新驅(qū)動(dòng)器還適合電源和能源應(yīng)用，包括充電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正（PFC）、直流-直流轉(zhuǎn)換器和太陽(yáng)能逆變器。 

STGAP3S產(chǎn)品系列為開(kāi)發(fā)者提供不同的產(chǎn)品型號(hào)選擇 ，其中包括驅(qū)動(dòng)電流10A和6A的產(chǎn)品，兩種產(chǎn)品都具有不同的欠壓鎖定（UVLO）和去飽和干預(yù)閾值，幫助設(shè)計(jì)人員選擇與其所選的SiC MOSFET或IGBT功率開(kāi)關(guān)管性能最匹配的驅(qū)動(dòng)器。 

去飽和保護(hù)功能實(shí)現(xiàn)了對(duì)外部功率開(kāi)關(guān)管的過(guò)載和短路保護(hù)，可以使用外部電阻調(diào)整功率開(kāi)關(guān)管的關(guān)斷策略，調(diào)整關(guān)斷速度來(lái)最大限度地提高保護(hù)功能，同時(shí)避免出現(xiàn)過(guò)多的過(guò)壓尖峰。欠壓鎖定保護(hù)可防止驅(qū)動(dòng)電壓不足時(shí)導(dǎo)通。 

驅(qū)動(dòng)器集成的米勒鉗位架構(gòu)為外部N溝道MOSFET提供一個(gè)預(yù)驅(qū)動(dòng)器。因此，設(shè)計(jì)人員可以靈活地選擇合適的干預(yù)速度，以防止感應(yīng)導(dǎo)通，并避免交叉導(dǎo)通。 

現(xiàn)有的產(chǎn)品型號(hào)包括驅(qū)動(dòng)能力10A 拉/灌電流和6A拉/灌電流的驅(qū)動(dòng)器，針對(duì)IGBT或SiC優(yōu)化的去飽和檢測(cè)和UVLO 閾值，讓開(kāi)發(fā)者所選的功率開(kāi)關(guān)發(fā)揮極致性能。去飽和、UVLO和過(guò)熱保護(hù)的故障情況通過(guò)兩個(gè)專(zhuān)用的開(kāi)漏診斷引腳通知控制器。


供貨與報(bào)價(jià)
 

STGAP3SXS現(xiàn)已投產(chǎn)，采用 SO-16W 寬體封裝。查詢(xún)進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.st.com/ftgap3s。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）