【產通社，11月27日訊】瑞薩電子株式會社（Renesas Electronics；TSE東京證券交易所股票代碼：6723）官網(wǎng)消息，其率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內存模塊（MRDIMM）的完整內存接口芯片組解決方案。人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和其它數(shù)據(jù)中心應用對內存帶寬的要求不斷提高，這就需要新的DDR5 MRDIMM。它們的運行速度高達每秒12,800兆次傳輸（MT/s）；與第一代解決方案相比內存帶寬提高1.35倍。瑞薩與包括CPU和內存供應商在內的行業(yè)領導者以及終端客戶合作，在新型MRDIMM的設計、開發(fā)與部署方面發(fā)揮了關鍵作用。


產品特點


瑞薩設計并推出三款全新關鍵組件：RRG50120第二代多路復用寄存時鐘驅動器（MRCD）、RRG51020第二代多路復用數(shù)據(jù)緩沖器（MDB），和RRG53220第二代電源管理集成電路（PMIC）。此外，瑞薩還批量生產溫度傳感器（TS）和串行存在檢測（SPD）集線器解決方案，并為包括行業(yè)標準下一代MRDIMM在內的各類服務器和客戶端DIMM提供全面的芯片組解決方案。作為內存接口領域的卓越廠商，瑞薩致力于為用戶提供高質量、高性能的產品和服務。

瑞薩RRG50120第二代MRCD用于MRDIMM，緩沖主機控制器與DRAM之間的命令/地址（CA）總線、芯片選擇和時鐘。與第一代產品相比，其功耗降低45%。這對于超高速系統(tǒng)的熱管理而言是一個關鍵指標。RRG51020 Gen 2 MDB是MRDIMM中使用的另一個關鍵器件，用于緩沖從主機CPU到DRAM的數(shù)據(jù)。瑞薩的新MRCD和MDB均支持高達每秒12.8吉比特（Gbps）的速度。此外，瑞薩的RRG53220下一代PMIC提供出色的電氣過壓保護和卓越的能效，并針對高電流及低電壓操作進行優(yōu)化。


供貨與報價


瑞薩現(xiàn)已開始提供RRG50120 MRCD、RRG51020 MDB和RRG53220 PMIC的樣品。預計新產品將于2025年上半年投產。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.renesas.com/DDR5。（張怡，產通發(fā)布）    （完）