【產通社，12月14日訊】日本印刷（Dai Nippon Printing Co.,；TOKYO股票代碼：7912）消息，其成功開發(fā)出一種光掩膜制造工藝，能夠適應3納米光刻工藝，以支持半導體制造的尖端工藝——極紫外(EUV)光刻。


產品特點


DNP不斷滿足半導體制造商對性能和質量的要求。2016年，我們成為全球首家推出多光束掩膜寫入器(MBMW)的商業(yè)光掩膜制造商。2020年，我們開發(fā)出適用于5納米EUV光刻工藝的光掩膜制造工藝，并一直在供應滿足半導體市場需求的掩膜。在此次最新的進展中，為了滿足進一步微型化的需求，我們開發(fā)出了能夠支持3納米工藝的EUV光刻用光掩模。

DNP于2016年推出的MBMW能夠發(fā)射約26萬束電子束，即使圖案形狀復雜，也能顯著縮短光刻時間。此次，我們利用該設備的特點改進了制造工藝，同時優(yōu)化了數(shù)據(jù)校正技術和加工條件，以匹配EUV光刻所用光掩膜的復雜曲面圖案結構。
    DNP已安裝了新的MBMW，并計劃于2024年下半年開始投入使用。我們還將加強對半導體制造先進領域的支持，如EUV光刻所用的光掩膜。
    DNP將與總部設在比利時的國際尖端研究機構校際微電子中心(imec)共同推進用于下一代EUV曝光設備的EUV光掩膜的開發(fā)。

DNP將向全球半導體相關制造商提供新開發(fā)的能夠支持3納米EUV光刻的光掩膜。此外，我們還將支持開發(fā)EUV光刻的外圍技術，目標是在2030年實現(xiàn)100億日元的年銷售額。


供貨與報價


通過與imec等合作伙伴的聯(lián)合開發(fā)，DNP將繼續(xù)開發(fā)更先進的光掩膜，以支持3納米甚至2納米以下的更精細的工藝。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.dnp.co.jp。（張怡，產通發(fā)布）    （完）