【產(chǎn)通社，11月25日訊】恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）推出了最新的針對(duì)L波段雷達(dá)應(yīng)用的LDMOS晶體管，該晶體管在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間帶來達(dá)500W的突破性的RF輸出功率。

針對(duì)大范圍的L波段雷達(dá)應(yīng)用，恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶體管設(shè)置了新的效率標(biāo)準(zhǔn)（漏極效率大于50%）、增益（17dB）和達(dá)500W的耐用度。

恩智浦L波段RF晶體管(BLL6H1214-500)的主要表現(xiàn)參數(shù)包括：
·500W峰值輸出功率（在1.4GHz,100µs脈沖寬度，25%占空比時(shí)）；
·17dB增益；
·50%漏極效率；
·更佳耐用度；
·能夠承受高達(dá)5dB的過驅(qū)動(dòng)能力；
·更佳脈沖頂降（低于0.2dB）；
·供電電壓50V；
·無毒封裝、符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)。
 
恩智浦的這款器件結(jié)合了雙極管的功率密度和適用于L波段雷達(dá)設(shè)計(jì)的LDMOS技術(shù)優(yōu)勢，其環(huán)保的陶瓷封裝，可與BeO封裝互相替代。BLL6H1214-500 LDMOS L波段RF功率晶體管將很快上市。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問http://www.nxp.com/pip/BLL6H1214-500_PL_1.html