【產(chǎn)通社，11月25日訊】聯(lián)華電子（UMC）宣布，盡管全球經(jīng)濟(jì)的不確定性仍高，聯(lián)華電子在先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)依然持續(xù)前進(jìn)，其高介電系數(shù)閘電介質(zhì)(high-k gate dielectric)/金屬閘極 (metal gate) 之先進(jìn)閘極技術(shù)，已經(jīng)通過45納米SRAM產(chǎn)品良率的驗(yàn)證，此為HK/MG技術(shù)的重要里程碑。此項(xiàng)成果在展現(xiàn)HK/MG的技術(shù)效能與制程可靠性上是關(guān)鍵的第一步，而此技術(shù)將使用在下一代32/28納米制程中。

2008年10月聯(lián)華電子以其低漏電（LL）制程為基礎(chǔ)，采用先進(jìn)的雙重曝影（double-patterning）浸潤式微影術(shù)與應(yīng)變硅工程，產(chǎn)出業(yè)界第一個(gè)28納米SRAM芯片。聯(lián)華電子針對(duì)不同的市場應(yīng)用產(chǎn)品，在32/28納米制程上使用兩種閘極技術(shù)。聯(lián)華電子針對(duì)低漏電制程采用傳統(tǒng)硅閘極/氮氧化硅閘極氧化層技術(shù)，對(duì)于可攜式應(yīng)用產(chǎn)品例如手機(jī)芯片來說是非常理想的選擇。而HK/MG之先進(jìn)閘極技術(shù)則是針對(duì)著重速度的產(chǎn)品例如繪圖、應(yīng)用處理器與高速通訊芯片等。HK/MG技術(shù)同時(shí)可針對(duì)32/28納米低功率應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)行客制化，以滿足個(gè)別客戶的需求。

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