【產(chǎn)通社，8月15日訊】東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）官網(wǎng)消息，其發(fā)表了一種可提高碳化硅（SiC）MOSFET可靠性的新器件結(jié)構(gòu)。相較于東芝的典型器件結(jié)構(gòu)，MOSFET內(nèi)嵌的肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）可在抑制導(dǎo)通電阻增大的同時(shí)，將器件結(jié)構(gòu)的可靠性提高10倍以上。


產(chǎn)品特點(diǎn)


功率器件是降低車輛以及工業(yè)設(shè)備和其它電氣設(shè)備能耗的重要元器件，而碳化硅相較于有機(jī)硅可進(jìn)一步提高電壓并降低損耗，因此業(yè)界普遍預(yù)期碳化硅將成為新一代的功率器件材料。雖然碳化硅材質(zhì)的功率器件目前主要用于列車逆變器，但其今后的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，包括用于工業(yè)設(shè)備的各種光伏發(fā)電系統(tǒng)（PPS）和電源管理系統(tǒng)（PMS）。

目前可靠性問題是碳化硅器件利用和市場(chǎng)增長(zhǎng)的攔路虎，問題之一涉及位于功率MOSFET的電源與列車之間的PN結(jié)二極管。PN結(jié)二極管的外施電壓使其帶電，造成導(dǎo)通電阻變化，進(jìn)而有損于器件的可靠性。東芝新推出的肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）內(nèi)嵌式MOSFET器件結(jié)構(gòu)正是此問題的克星。

該新結(jié)構(gòu)中有一個(gè)與電池單元內(nèi)的PN結(jié)二極管平行設(shè)置的肖特基勢(shì)壘二極管，可防止PN結(jié)二極管帶電。相較于PN結(jié)二極管，內(nèi)嵌肖特基勢(shì)壘二極管的通態(tài)電壓更低，因此電流會(huì)通過內(nèi)嵌肖特基勢(shì)壘二極管，進(jìn)而抑制導(dǎo)通電阻變化和MOSFET可靠性下降等問題。

內(nèi)嵌肖特基勢(shì)壘二極管的MOSFET現(xiàn)已投入實(shí)際應(yīng)用，但僅限于3.3kV器件等高壓產(chǎn)品；內(nèi)嵌肖特基勢(shì)壘二極管通常會(huì)使導(dǎo)通電阻升高至僅高壓產(chǎn)品能承受的一個(gè)電壓水平。東芝在調(diào)整各個(gè)器件參數(shù)后發(fā)現(xiàn)MOSFET中肖特基勢(shì)壘二極管的面積比是抑制導(dǎo)通電阻增大的關(guān)鍵因素。東芝通過優(yōu)化肖特基勢(shì)壘二極管的這一比例，實(shí)現(xiàn)了1.2kV級(jí)高可靠型碳化硅（SiC）MOSFET。


供貨與報(bào)價(jià)


東芝計(jì)劃自今年八月下旬起利用這項(xiàng)新技術(shù)開始量產(chǎn)1.2kV級(jí)碳化硅（SiC）MOSFET。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問官方網(wǎng)站http://toshiba.semicon-storage.com。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）