【產(chǎn)通社，5月4日訊】安森美半導(dǎo)體公司（ON Semiconductor Corporation；NASDAQ股票代碼：ON）官網(wǎng)消息，其繼續(xù)擴(kuò)充用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的產(chǎn)品陣容，以進(jìn)一步幫助客戶解決他們的具體設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)正隨著工業(yè)自動化及機(jī)械人激增，這些系統(tǒng)要求在惡劣工業(yè)環(huán)境中達(dá)到高能效、精準(zhǔn)的測量、準(zhǔn)確的控制及高可靠性。要有效地開發(fā)應(yīng)用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動的半導(dǎo)體，需要先進(jìn)的設(shè)計(jì)、集成有源和無源器件的能力、精密的封裝包括基板材料，以及高質(zhì)量和可靠性標(biāo)準(zhǔn)。


產(chǎn)品特點(diǎn)


NXH25C120L2C2，NXH35C120L2C2/2C2E和NXH50C120L2C2E分別為25A、35A和50A版本的轉(zhuǎn)移成型功率集成模塊（TM-PIM），用于1200V的應(yīng)用，提供轉(zhuǎn)換器-逆變器-制動（CIB）和轉(zhuǎn)換器-逆變器（CI）配置版本。這些模塊包括6個(gè)1200V IGBT、6個(gè)1600V整流器和一個(gè)用于系統(tǒng)級溫度監(jiān)控的負(fù)溫度系數(shù)（NTC）熱敏電阻。CIB版本使用一個(gè)附加的1200V IGBT和一個(gè)二極管。新推出的模塊采用轉(zhuǎn)移成型封裝，延長溫度及功率的循環(huán)壽命。模塊尺寸僅為73×40×8mm，具有可焊接引腳，CIB和CI版本均具有一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)化的引腳輸出。

同時(shí)推出的NFAM2012L5B和NFAL5065L4B，擴(kuò)充了智能功率模塊（IPM）產(chǎn)品陣容，包括額定電壓650V和1200V，以及額定電流10-75A。這些三相逆變器集成了額定短路的溝槽型絕緣門雙極晶體管（Trench IGBT）、快速恢復(fù)二極管、門極驅(qū)動器、自舉電路、可選的NTC熱敏電阻和保護(hù)，通過一個(gè)額定2500Vrms/分鐘的隔離提供緊湊可靠的模塊，獲UL 1557認(rèn)證。這些IPM具有直接鍵合銅基板和低損耗硅的特性，延長功率循環(huán)壽命和散熱能力。

通過片上電流隔離，NCD57000和NCD57001 IGBT門極驅(qū)動器透過減低系統(tǒng)復(fù)雜性實(shí)現(xiàn)緊湊、高效和可靠的門極驅(qū)動器設(shè)計(jì)。這些器件分別提供4A/6A供應(yīng)電流和汲取電流，同時(shí)還集成了去飽和（DESAT） 、米勒鉗位、欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)、使能（Enable）和穩(wěn)壓VREF。

NCS21871零漂移運(yùn)算放大器以一個(gè)45μV低輸入偏置電壓提供精確的信號調(diào)節(jié)，同時(shí)從-40°C至+125°C維持該精度，低輸入偏置漂移為0.4μV/°C。這些參數(shù)使其非常適合用于低邊電流檢測。


供貨與報(bào)價(jià)


查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.onsemi.cn。（robin, 張底剪報(bào)）    （完）