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氮化鎵基高亮度LED核心專利:基礎材料
2007/2/10 11:42:34    

目前,世界范圍內(nèi)在GaN基高亮度LED及半導體全固態(tài)照明光源的研發(fā)方面居于領先水平的公司主要有:美國的Lumileds、HP/Agilent和Cree,日本的Nichia、ToyodaGosei、Sony、
Toshiba和其他綜合性大公司(如NEC、Matsushita、Mitsubishi及Sumitomo等),德國的Osram等等。這些跨國公司多數(shù)有原創(chuàng)性的專利,引領技術(shù)發(fā)展的潮流,占有絕大多數(shù)的市場份額。臺灣的一些光電企業(yè)(如國聯(lián)光電、光寶電子、光磊科技、億光電子、鼎元光電等)以及韓國的若干研發(fā)單位,在下游工藝和封裝以及上游材料外延方面也具備各自的若干自主知識產(chǎn)權(quán),占有一定的市場份額。

調(diào)查顯示,Nichia、Cree、Lumileds、OSRAM、ToyodaGosei、Toshiba和Rohm等占據(jù)了絕大多數(shù)市場份額的大公司擁有著該領域80%~90%的原創(chuàng)性發(fā)明專利(集中于材料生長、器件制作、后步封裝等方面),而其余大多數(shù)公司所擁有的多是實用新型專利(主要針對器件可靠性以及產(chǎn)品應用開發(fā)方面進行研究)。


基礎材料


在這些方面,美國、日韓和歐洲的一些著名學府和科研機構(gòu)享有研究聲譽。就整個全球產(chǎn)業(yè)界而言,基于MOCVD外延生長的技術(shù)路線是發(fā)展GaN基光電子材料與器件的主要技術(shù)潮流,RS-MBE等技術(shù)路線更適于進行基礎性學術(shù)研究工作。對比由SiC、ZnS及其他II/VI族化合物半導體寬帶隙材料所制成的藍綠光發(fā)光器件,GaN基器件的壽命長,發(fā)光效率高,價格相對便宜,被公認為是全固態(tài)照明光源用管芯器件的首選材料。

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