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→ 半導(dǎo)體器件(工藝制程)
了解雙極結(jié)型晶體管(BJT)的開關(guān)特性
2023/1/29 10:09:36
可通過基極電流開啟或關(guān)閉雙極結(jié)型晶體管(BJT)。但是,由于基極-發(fā)射極二極管兩端的壓降在很大程度上取決于溫度,因而在許多應(yīng)用中,需要一個(gè)串聯(lián)電阻將基極電流保持在所需水平,從而確保BJT穩(wěn)定安全地工作。
為了減少元器件數(shù)量、簡(jiǎn)化電路板設(shè)計(jì),配電阻晶體管將一個(gè)或兩個(gè)雙極性晶體管與偏置電阻組合在一起,集成在同一個(gè)晶片上。替代方案包括在基極-發(fā)射極路徑上并聯(lián)第二個(gè)集成電阻,以創(chuàng)建用于設(shè)置基極電壓的分壓器。這可以提供更精細(xì)的微調(diào)和更好的關(guān)斷特性。由于這些內(nèi)部電阻的容差高于外部電阻,因而RET適合晶體管在打開或關(guān)斷狀態(tài)下工作的開關(guān)應(yīng)用。因此,RET有時(shí)被稱為數(shù)字晶體管。本文討論了在開關(guān)應(yīng)用中使用RET進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)的一些關(guān)鍵操作參數(shù)。
IC/IIN是指RET的電流增益hFE,其中的IIN包括基極電流和流經(jīng)R2的電流(IR2 = VBE/R2)。因此,hFE比RET小,后者只有一個(gè)串聯(lián)基極電阻R1。因?yàn)檩斎腚娏鲝幕鶚O分流,所以R2值越低,hFE值就越小。
測(cè)量hFE的測(cè)試條件是施加0.5mA的基極電流和10 mA的集電極電流。Vi(off)是RET器件關(guān)閉時(shí)的輸入電壓。在這種情況下,集電極泄漏電流為100μA,集電極-發(fā)射極電壓(VCE)為5V。該條件必須要滿足,以確保RET在關(guān)斷狀態(tài)下可以安全運(yùn)行。當(dāng)測(cè)試處于導(dǎo)通狀態(tài)的RET時(shí),VI(on)min是最關(guān)鍵的參數(shù)。用于驅(qū)動(dòng)RET的電路必須能夠提供該電壓電平,以確保安全開啟。導(dǎo)通狀態(tài)是指集電極-發(fā)射極電壓為0.3V時(shí),集電極電流為10mA的狀態(tài)。RET數(shù)據(jù)手冊(cè)中規(guī)定的VI額定值僅針對(duì)這些測(cè)試條件有效。RET需通過更大的基極驅(qū)動(dòng)電壓VI(on)來獲得更大的開關(guān)電流。
在VI(off)條件下,會(huì)有一個(gè)微小的基極電流流過晶體管(約0.3μA)。關(guān)閉RET所需的電壓典型值與電阻比R1/R2有關(guān)。當(dāng)晶體管關(guān)閉時(shí),可以通過R2或基極-發(fā)射極二極管兩端的壓降目標(biāo)來計(jì)算此值。對(duì)于NHDTC系列,該電壓大約為580mV。因此,電阻比為1時(shí)的VI(off)值具有相同的電壓。由于上述原因,當(dāng)R2為47kΩ,且R1值為2.2kΩ、4.7kΩ或10kΩ時(shí),關(guān)斷狀態(tài)的典型電壓值均會(huì)較低。VI(off) max需為偶數(shù)值,以確保器件在圖2中最左側(cè)的深綠色陰影區(qū)域內(nèi)運(yùn)行。
Nexperia的RET產(chǎn)品組合
正確選擇電阻分壓器至關(guān)重要,以確保RET的控制電壓范圍與驅(qū)動(dòng)級(jí)相匹配。所需的集電極或負(fù)載電流會(huì)影響為導(dǎo)通狀態(tài)提供的基極電流?墒褂幂^低的R1和/或流經(jīng)R2的較小旁路電流來設(shè)置較高的集電極電流。
除了通用系列,Nexperia還提供具有增強(qiáng)功能的RET器件,例如,NHDTA/NHDTC系列RET的VCEO為80V。這一特性使得這些器件非常適合48V汽車應(yīng)用。PDTB和PBRN系列RET支持500/600mA的集電極電流,并可用于開關(guān)功率繼電器和功率LED。
有關(guān)溫度的注意事項(xiàng)
在實(shí)際應(yīng)用中,需密切關(guān)注VI參數(shù)的溫度漂移。BJT的VBE隨溫度升高而降低,其中系數(shù)約為-1.7mV/K至-2.1mV/K。對(duì)于獨(dú)立的BJT,hFE也會(huì)每開爾文增加約1%。
VI(on)為IC的函數(shù),因此在相同的VCE下,需要更高的輸入電壓來驅(qū)動(dòng)更多的集電極電流。低環(huán)境溫度需要更高的輸入電壓,因?yàn)閂BE增加,hFE會(huì)降低。因此需要在低溫下打開RET開關(guān),這是應(yīng)用的關(guān)鍵操作條件,并且需要足夠的輸入電壓才能正確打開器件。
在關(guān)斷狀態(tài)下,高溫條件非常關(guān)鍵。因此,驅(qū)動(dòng)電路必須設(shè)計(jì)為在最高應(yīng)用溫度下輸出電壓遠(yuǎn)低于VI(off)典型值。RET是一種相對(duì)簡(jiǎn)單的器件,非常適合開關(guān)應(yīng)用。盡管如此,設(shè)計(jì)人員必須了解影響其運(yùn)行的參數(shù),包括開關(guān)電壓和電流,以及其受溫度影響的情況。本篇博客文章提供了一些設(shè)計(jì)技巧,目的是確保Nexperia的RET在目標(biāo)應(yīng)用中安全可靠地運(yùn)行。
查詢進(jìn)一步信息,請(qǐng)?jiān)L問官方網(wǎng)站
http://efficiencywins.nexperia.cn/efficient-products/understanding-the-switching-characteristics-of-rets.html
。(Donna Zhang,張底剪報(bào))
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