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2021年1月，美光科技（Micron Technology）開(kāi)始在位于臺(tái)灣地區(qū)的工廠批量生產(chǎn)基于1α（1-alpha）節(jié)點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品。首先出貨的是面向運(yùn)算市場(chǎng)的DDR4內(nèi)存，以及英睿達(dá)（Crucial）消費(fèi)級(jí)PC DRAM產(chǎn)品，并同時(shí)向移動(dòng)客戶提供LPDDR4樣片進(jìn)行驗(yàn)證。那么，到底什么是1α節(jié)點(diǎn)技術(shù)？
根據(jù)美光資料，1α節(jié)點(diǎn)制程是目前世界上最先進(jìn)的DRAM技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。
1α節(jié)點(diǎn)是繼最近首推全球最快顯存和176層NAND產(chǎn)品后，美光實(shí)現(xiàn)的又一突破性里程碑。對(duì)比上一代的1z DRAM制程，美光1α技術(shù)將內(nèi)存密度提升了40%，為將來(lái)的產(chǎn)品和內(nèi)存創(chuàng)新提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
通過(guò)1α技術(shù)節(jié)點(diǎn)，內(nèi)存解決方案更節(jié)能、更可靠，并為需要最佳低功耗DRAM產(chǎn)品的移動(dòng)平臺(tái)帶來(lái)運(yùn)行速度更快的LPDDR5，使5G用戶在不犧牲續(xù)航的同時(shí)能在手機(jī)上進(jìn)行更多任務(wù)操作。
美光的1α先進(jìn)內(nèi)存節(jié)點(diǎn)提供8Gb至16Gb的密度，有助于延長(zhǎng)現(xiàn)有DDR4和LPDDR4列產(chǎn)品的生命周期，為服務(wù)器、客戶端、網(wǎng)絡(luò)和嵌入式領(lǐng)域的應(yīng)用提供更低功耗、更可靠的支持，從而降低客戶再次驗(yàn)證的成本。對(duì)于具備較長(zhǎng)產(chǎn)品生命周期的汽車嵌入式解決方案、工業(yè)PC和邊緣服務(wù)器等應(yīng)用場(chǎng)景而言，1α制程同樣保證了在整個(gè)系統(tǒng)生命周期內(nèi)更具優(yōu)勢(shì)的總體擁有成本。
在CPU領(lǐng)域，臺(tái)積電在去年量產(chǎn)5nm節(jié)點(diǎn)工藝，目前正準(zhǔn)備推出3nm節(jié)點(diǎn)技術(shù)。這些先進(jìn)工藝使用極紫外EUV光刻工藝，而存儲(chǔ)芯片行業(yè)目前還處于18nm EUV技術(shù)，這些1X、1Y、1Z工藝DRAM芯片對(duì)EUV光刻的依賴并非必須品。這里的1X nm節(jié)點(diǎn)(16-19nm)，1Y nm節(jié)點(diǎn)（14-16nm），1Z節(jié)點(diǎn)（12-14nm）都采用了深紫外DUV光刻工藝。
至于美光本次推出的1α節(jié)點(diǎn)DRAM產(chǎn)品，估計(jì)屬于12nm技術(shù)，后續(xù)將會(huì)擴(kuò)展和精進(jìn)到1β和1γ的10納米。（Jack Zhang）
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