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前沿科學(xué)研究表明,“微納結(jié)構(gòu)界面與光電子相互作用產(chǎn)生的奇異電磁場特性是設(shè)計新穎材料和器件的新途徑(如超構(gòu)材料、超構(gòu)全息顯示、超構(gòu)平面成像等)”。當(dāng)前國際上,新穎材料、超構(gòu)表面走向?qū)嵱没闹饕系K,是缺乏在大基板上制備微納結(jié)構(gòu)形貌的技術(shù)手段!包括超精密金剛石車床、電子束光刻在內(nèi)的精密加工手段,以及用于芯片的極紫外投影光刻設(shè)備,都難以勝任復(fù)雜微納結(jié)構(gòu)形貌的高效加工。所以核心問題是,如何設(shè)計具有新功能的大口徑光子器件?如何將海量數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化成大面積微納結(jié)構(gòu)?因此,大面積3D直寫光刻技術(shù)和裝備研制與應(yīng)用,對新一輪產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新和前沿科學(xué)研究的意義重大。 面向大面積新穎材料與功能器件的需求,大型紫外3D光刻系統(tǒng)面臨的挑戰(zhàn)有: (1)表達(dá)“微納結(jié)構(gòu)形貌”的數(shù)據(jù)量極大,如,55吋幅面透明電路圖形數(shù)據(jù)量約15Tb,相同尺寸平板透鏡的微結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)量>150Tb。 (2)海量數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)的運算、壓縮傳輸與高速率光電轉(zhuǎn)換技術(shù)。 (3)三維數(shù)字光場曝光模式與作用機理。 (4)微納結(jié)構(gòu)形貌的精確光刻工藝,包括3D鄰近效應(yīng)補償、自適應(yīng)3D導(dǎo)航自聚焦模式。 (5)高速運動平臺、紫外光機系統(tǒng)制造工藝與納米精度控制技術(shù)。 iGrapher3000:新穎光電子器件與新材料提供前所未有的光刻手段 隨著IoT、5G逐漸賦能,新型顯示、柔性傳感、自動駕駛、虛實融合、超構(gòu)材料和平板成像等領(lǐng)域,將迎來變革性發(fā)展機會。蘇大維格浦東林博士帶領(lǐng)科研人員,十多年來一直開展3D光刻技術(shù)、納米光刻硬軟件、數(shù)據(jù)處理算法和精密控制技術(shù)研發(fā)。經(jīng)多輪迭代,攻克了3D光刻重大瓶頸,研制成功以iGrapher3000為代表的系列紫外3D直寫光刻裝備并在工業(yè)界應(yīng)用。 iGrapher3000率先在110吋幅面玻璃基板上實現(xiàn)連續(xù)面型微結(jié)構(gòu)大面積平板器件,深度范圍50~20nm;率先建立海量數(shù)據(jù)處理能力并轉(zhuǎn)化成所設(shè)計的微納結(jié)構(gòu)形貌,涉及單文件數(shù)據(jù)量達(dá)600Tb;率先建立支持110吋光刻膠板厚膠制程(2~25nm),用于后繼印版工業(yè)化生產(chǎn)。 iGrapher3000先進(jìn)功能: (1)3D矢量設(shè)計數(shù)據(jù)向微結(jié)構(gòu)形貌轉(zhuǎn)化先進(jìn)算法與軟件。 (2)海量數(shù)據(jù)文件實時處理/傳輸/同步寫入快速光刻。 (3)大面積襯底實時三維導(dǎo)航自聚焦功能;雙驅(qū)動龍門構(gòu)架精密控制技術(shù)。 (4)三維微結(jié)構(gòu)形貌曝光鄰近效應(yīng)補償。 (5)大面積光刻厚膠板的制備工藝。 光刻機的產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景 在芯片、光電子、顯示產(chǎn)業(yè)和科學(xué)研究中,光刻(lithography)屬于基礎(chǔ)工藝。高端光刻設(shè)備長期被國外企業(yè)壟斷。 在芯片產(chǎn)業(yè),光刻機有兩種類型:第一種是投影光刻機(Projection Lithography),將光掩模圖形縮微并光刻到硅片上,制備集成電路圖形,最細(xì)線寬達(dá)5nm,如ASML極紫外EUV投影光刻機。日本Nikon的i系列和Canon的FPA系列高精度步進(jìn)投影光刻機;第二種是直寫光刻機(Direct Writing Lithography),用于0.25微米及以上節(jié)點的芯片光掩模版、0.18微米節(jié)點以下的部分光掩模制備(其余節(jié)點掩模,用電子束光刻EBL制備,約占25%),如美國應(yīng)用材料公司(AM)ALTA光刻機;在顯示面板行業(yè),如瑞典Mycronic公司,Prexision10激光直寫光刻系統(tǒng),用于10代線光掩模制備,Nikon大型投影掃描光刻機(FX系列),用于將光掩模圖形掃描光刻到大尺寸基板上,形成TFT電路圖形。因此,IC集成電路、顯示面板等領(lǐng)域,直寫光刻機的作用是將設(shè)計數(shù)據(jù)制備到光刻膠基板上,成為光掩模,用于后道投影光刻復(fù)制。 上述兩類光刻機均屬于“平面圖形”光刻機,用于薄光刻膠制程。無論直寫光刻還是投影光刻,都是集成電路和光電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵裝備。直寫光刻屬于源頭型關(guān)鍵環(huán)節(jié),稱為Pattern Generator。 本次投入運行iGrapher3000,“3D形貌“光刻屬于厚膠工藝,主要用于光電子材料和器件的制備,作用是將設(shè)計數(shù)據(jù)制備到厚光刻膠基板上,成為具有三維形貌的納米印版,用于后道壓印復(fù)制。下圖為用于3D顯示的微結(jié)構(gòu)形貌SEM照片。 3D光刻機的強大功能 iGrapher3000強大3D光刻功能:以三維導(dǎo)航飛行掃描模式曝光,一次掃描曝光形成三維微納結(jié)構(gòu)形貌;支持多格式2D、3D模型數(shù)據(jù)文件,支持?jǐn)?shù)百Tb數(shù)據(jù)量的光刻,寫入速度大于3Gbps;具有數(shù)據(jù)處理/傳輸/寫入同步的快速光刻功能;幅面:110英寸;光刻深度范圍:50納米~20微米@深度分辨率10nm,橫向線寬>0.5微米@數(shù)字分辨率100nm@355納米紫外波長,最快掃描速率1m/s。 理論上,微納結(jié)構(gòu)形貌具有5維度可控變量,支持各種光場和電磁長調(diào)控材料與器件設(shè)計與制備。作為對比,用于芯片極紫外投影光刻機(EUV),追求極細(xì)線寬(已達(dá)5nm),難度在于極端的精度控制和高產(chǎn)率(極紫外光源、運動平臺和套刻精度),芯片的投影光刻,用光掩模圖形縮微復(fù)制,不涉及海量數(shù)據(jù)處理等問題;用于光掩模的直寫光刻設(shè)備(LDW),將規(guī)則電路圖形轉(zhuǎn)化為光掩模,形成顯示TFT光掩模。 與集成電路的薄膠光刻工藝不同,用于微納結(jié)構(gòu)形貌的3D光刻,追求形貌與相對排列精度(根據(jù)用途不同),難度在于海量數(shù)據(jù)處理與傳輸(數(shù)百Tb)、大面積的結(jié)構(gòu)功能設(shè)計與先進(jìn)算法、3D光刻與3D鄰近效應(yīng)補償?shù)缺U娑裙に嚨龋疃确秶?0nm~20微米,精度范圍:1nm~100nm?梢姡3D光刻機在功能與用途上,與以往2D光刻機有明顯的不同。 3D光刻的用途 iGrapher3000為新穎光電子材料與功能器件的研究和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新,開辟了新通道。主要用于大尺寸光電子器件、超構(gòu)表面材料、功能光電子器件等在內(nèi)的微納形貌和深結(jié)構(gòu)的制備,包括大尺寸透明電路圖形、高精度柔性觸控傳感器、高亮投影屏、全息3D顯示、MiniLED電路背板、高光效勻光板、虛實融合光子器件、大口徑透明電磁屏蔽材料等。 iGrapher3000也可用于平板顯示產(chǎn)業(yè)和柔性電子產(chǎn)業(yè)的光掩模制備,并為高精度大口徑薄膜透鏡的設(shè)計制備提供了戰(zhàn)略研發(fā)資源。查詢進(jìn)一步信息,請訪問官方網(wǎng)站 http://www.svgoptronics.com。(Lisa WU, 365PR Newswire)
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