2013年在移動智能終端、物聯(lián)網(wǎng)及汽車電子等領(lǐng)域的發(fā)展推動下，全球集成電路產(chǎn)業(yè)從2012年疲弱的狀態(tài)下緩慢恢復(fù)。國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)在《集成電路產(chǎn)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃》和產(chǎn)業(yè)發(fā)展相關(guān)政策的支持下，保持了較快增長的勢頭。工信部3月發(fā)布的《2013年集成電路行業(yè)發(fā)展回顧及展望》中指出國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)整體復(fù)蘇態(tài)勢強(qiáng)勁，產(chǎn)銷增長加快,效益大幅提升，全年產(chǎn)業(yè)銷售產(chǎn)值同比增長7.9%，規(guī)模為2693億元；累計生產(chǎn)集成電路866.5億塊，同比增長5.3%。

1. 專利公開/公告年度趨勢

截止2013年12月31日，我國集成電路設(shè)備材料類的專利共有22354件，其中發(fā)明專利公開有18753件，實用新型專利公告有3601件；獲得授權(quán)的發(fā)明專利8154件。

自2001年至2013年間，IC設(shè)備材料類的中國專利公開/公告保持著快速增長的勢頭，特別是從2002年開始至2012年，每年增長率保持在40%以上。經(jīng)過了2011年和2012年的飛速發(fā)展，2013年集成電路設(shè)備材料類專利公開/公告數(shù)量趨于穩(wěn)定，公開/公告了4317件，基本與2012年持平。

2. 主要國家及地區(qū)公開/公告中國專利趨勢對比

2006年至2013年主要國家及地區(qū)公開/公告IC設(shè)備材料類中國專利趨勢對比，中國大陸地區(qū)公開/公告數(shù)量最多。中國大陸地區(qū)該領(lǐng)域?qū)＠鼛啄暧休^大幅度的增長，2006年的中國大陸公開/公告的設(shè)備材料類專利是總量的40%，自2008年以來中國國內(nèi)公司申請的設(shè)備材料類專利出現(xiàn)爆發(fā)式增長，當(dāng)年增長了96%，比2007年增加一倍，在設(shè)備材料類專利中所占比例從40%上升到55%。至2010年中國大陸公開/公告的設(shè)備材料類專利占總量的80%。美國和日本在該領(lǐng)域?qū)＠_/公告數(shù)量自2006年至2013年維持了較為穩(wěn)定的增長態(tài)勢。

3. 中國專利主要省市公開/公告分布

在全國各省市中，上海、北京和江蘇為國內(nèi)IC設(shè)備材料類專利公開/公告的前三位，浙江和廣東分列第四位、第五位。其它省市之間專利數(shù)量相差不大。其中來自上海的發(fā)明專利申請量和發(fā)明專利授權(quán)量遠(yuǎn)高于其他省市地區(qū)，說明上海在集成電路設(shè)備材料領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢較明顯。

在國內(nèi)IC設(shè)備材料領(lǐng)域，省市間的發(fā)展非常不平衡，優(yōu)勢力量主要集中在長三角、北京地區(qū)。上海和北京地區(qū)由于集中了國內(nèi)眾多優(yōu)勢專利權(quán)人，在研發(fā)和投入上都具備很強(qiáng)的實力，發(fā)展較之其他省份，占據(jù)更大優(yōu)勢。同時，各地區(qū)的競爭格局也處在變化中。

4. IPC技術(shù)分類趨勢分布

從2006年開始中國集成電路設(shè)備材料領(lǐng)域的專利絕大多數(shù)集中在H01L21（專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備）領(lǐng)域，2013年公開/公告該領(lǐng)域?qū)＠?73件，比2012年略有減少。另外相對較多的是H03L31(對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；其零部件)領(lǐng)域以及G03F7（圖紋面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工藝；圖紋面照相制版用的材料，如：含光致抗蝕劑的材料；圖紋面照相制版的專用設(shè)備）領(lǐng)域。上述領(lǐng)域的專利數(shù)量在2013年都有所減少。H01L29(專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件)領(lǐng)域保持增長，2013年公開/公告了相關(guān)領(lǐng)域?qū)＠?24件，比2012年增加了21件，增長率達(dá)到10%。

表1 2001-2013年中國IC設(shè)備材料類公開/公告權(quán)利人排名（單位：件）
專利權(quán)人   國家和地區(qū)   排名   專利公開/公告件數(shù)   授權(quán)發(fā)明數(shù)
應(yīng)用材料有限公司   美國   1   1999   930
上海微電子裝備有限公司   中國   2   1002   461
株式會社日立高新技術(shù)   日本   3   589   187
上海華虹NEC電子有限公司   中國   4   441   150
北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司   中國   5   433   57
ASML荷蘭有限公司   荷蘭   6   422   234
中芯國際集成電路制造（上海）有限公司   中國   7   414   222
安集微電子（上海）有限公司   中國   8   301   82
橫河電機(jī)株式會社   日本   9   298   133
中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司   中國   10   247

表2 2013年中國IC設(shè)備材料類公開/公告權(quán)利人排名（單位：件）
專利權(quán)人   國家和地區(qū)   排名   專利公開/公告件數(shù)   授權(quán)發(fā)明數(shù)
應(yīng)用材料公司   美國   1   233   163
上海微電子裝備有限公司   中國   2   199   79
上海華虹NEC電子有限公司   中國   3   145   49
北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司   中國   4   130   16
株式會社日立高新技術(shù)   日本   5   107   53  
中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司   中國   6   89   13
哈爾濱工業(yè)大學(xué)   中國   7   88   7
上海華力微電子有限公司   中國   8   81   18
中芯國際集成電路制造（上海）有限公司   中國   9   78   29
中國科學(xué)院微電子研究所   中國   10   52   12

2001-2013年集成電路設(shè)備材料類中國專利權(quán)利人前十位排名中，美國的應(yīng)用材料有限公司公開該領(lǐng)域中國專利最多。在前十位的專利權(quán)人中中國大陸專利權(quán)人占據(jù)了較大比例，中國大陸共有六家專利權(quán)人排名進(jìn)入前十，上海微電子裝備有限公司位列第二，上海華虹NEC電子有限公司位列第四，北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司位列第五，中芯國際集成電路制造（上海）有限公司和安集微電子（上海）有限公司分列第七第八。在集成電路設(shè)備材料領(lǐng)域日本專利權(quán)人較有優(yōu)勢，排名前十專利權(quán)人中共有兩家來自日本，株式會社日立高新技術(shù)排名第三，橫河電機(jī)株式會社排名第九。

2013年中國集成電路設(shè)備材料類專利權(quán)利人前十位中，盡管排名第一的仍然是該領(lǐng)域總量第一的美國應(yīng)用材料有限公司，但是近年來中國國內(nèi)專利權(quán)人在集成電路設(shè)備材料領(lǐng)域取得了長足發(fā)展，排名前十的大多為中國專利權(quán)人。排名第二的是上海微電子裝備有限公司，2013年公開集成電路設(shè)備材料類專利199件。排名第三的是上海華虹NEC電子有限公司，2013年公開/公告該領(lǐng)域中國專利145件。排名第四的是北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司，2013年公開/公告該領(lǐng)域?qū)＠?30件。排名前十的公司中，還有一家日本公司，株式會社日立高新技術(shù)，該公司在2013年公開/公告相關(guān)中國專利107件，排名第五。

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