TI NexFET功率MOSFET技術(shù)可為高功率計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)器系統(tǒng)以及電源降低能耗。這些高頻率高效率模擬功率MOSFET可為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)最先進(jìn)的DC/DC功率轉(zhuǎn)換解決方案。
NexFET功率模塊除提高效率與功率密度外，還能夠以高達(dá)1.5MHz的開關(guān)頻率生成高達(dá)40A的電流，可顯著降低解決方案尺寸與成本。優(yōu)化的引腳布局與接地引線框架可顯著縮短開發(fā)時間，改善整體電路性能。此外，NexFET功率模塊還能夠以低成本方式實(shí)現(xiàn)與GaN等其他半導(dǎo)體技術(shù)相當(dāng)?shù)男阅堋?/P>
其中，CSD86350Q5D功率模塊的主要特性與優(yōu)勢：
- 5 x 6毫米SON外形僅為兩個采用5 x 6毫米QFN封裝的分立式MOSFET器件的50%；
- 可在25A的工作電流下實(shí)現(xiàn)超過90%的電源效率，與同類競爭器件相比，效率高2%，功率損耗低20%；
- 與同類解決方案相比，無需增加功率損耗便可將頻率提高2倍；
- 底部采用裸露接地焊盤的SON封裝可簡化布局。
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