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基于45納米高K柵介質(zhì)+金屬柵極CMOS工藝的移動互聯(lián)網(wǎng)IA處理器
2008/7/23 12:44:49    英特爾網(wǎng)站

英特爾在《一款1瓦以下到2瓦、基于45納米高-K柵介質(zhì)+金屬柵極CMOS制造工藝、面向移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的低功耗 IA 處理器(A Sub-1W to 2W Low-Power IA Processor for Mobile Internet Devices in 45nm High-К Metal-Gate CMOS)》 披露了有關(guān)其新型低功耗IA微架構(gòu)的細(xì)節(jié),該微架構(gòu)是采用45納米高-K柵介質(zhì)+金屬柵極制造工藝Silverthorne處理器的基礎(chǔ),這種處理器專門針對第一代移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。

該微架構(gòu)將與Core2 Duo指令集完全兼容,基于雙碼、雙發(fā)射的按序執(zhí)行并擁有16級流水線。該微架構(gòu)還將采用劃時代的功耗管理技術(shù),如Deep Power Down(C6)狀態(tài)、無網(wǎng)格時鐘分配、針對功耗優(yōu)化的寄存器組、時鐘門控、CMOS總線模式和分割式IO電源,可大幅度降低動態(tài)和泄漏功耗。

得益于這些創(chuàng)新的功耗管理技術(shù),采用45納米高-K柵介質(zhì) + 金屬柵極制造工藝的Silverthorne處理器可望達(dá)到將熱功耗水平(TDP)降低10倍的效果(與英特爾2006年推出的超低電壓單核處理器相比),同時能夠提供高性能以獲得全部互聯(lián)網(wǎng)體驗和運行應(yīng)用軟件。

該微架構(gòu)系采用全新的設(shè)計,能以低于1瓦的功耗水平提供卓越性能。

更多信息,請訪問英特爾http://blogs.intel.com/china

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