《一款多層單元兩極選擇相變存儲器（A Multi-Level Cell Bipolar-Selected Phase Change Memory）》介紹英特爾和意法半導體公司（ST Microelectronics）通過聯(lián)合開發(fā)項目在相變存儲器（PCM）方面取得的突破。兩家公司聯(lián)手打造了世界首個可展示的采用PCM技術的多層單元（MLC）設備。

PCM的原理是基于改變一種硫屬化合物材料（Ge2Sb2Te5，又名GST）的狀態(tài)來進行數(shù)據(jù)存儲。這是一種極有潛力的新型存儲技術，它具有先進存儲技術的許多最佳特性，能比傳統(tǒng)閃存以更低的功耗實現(xiàn)極快的讀取和寫入速度，并實現(xiàn)更加穩(wěn)定的數(shù)據(jù)保存。從每單元一比特轉變?yōu)镸LC還能以更低的單位字節(jié)成本大幅度提高存儲密度，這使得MLC與PCM的結合成為一項巨大的技術進步。

通過采用獨特的編程算法，研究人員有效地創(chuàng)造了非晶態(tài)和晶態(tài)之間的另外兩種狀態(tài)。
 
拿水（H20）的狀態(tài)打比方，單層單元PCM好比是把H2O要么看作是液態(tài)（水），要么看作是固態(tài)（冰）。而通過采用MLC技術，研究人員表明他們可以控制GST并設置其4種狀態(tài)。還是拿H20打比方，現(xiàn)在我們可以觀察到以下狀態(tài)：甚非晶態(tài)（氣體或“00”）、非晶態(tài)（液體或“01”）、半晶態(tài)（帶有部分冰塊的液態(tài)或“10”）以及晶態(tài)（固態(tài)冰塊或“11”）。

該工藝展示9層銅互連層，并廣泛采用低-k層間絕緣體，以便在采用無鉛封裝的同時提高功率和性能。

英特爾和意法半導體曾經展示過采用PCM技術的180納米制程4Mb存儲陣列和90納米制程的128Mb存儲設備。此次2008年國際固態(tài)電路會議上發(fā)表的文章顯示了采用PCM技術的多層單元（MLC）設備的數(shù)據(jù)。

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