完成時(shí)間：2007年8月
文字版價(jià)格：4200元
電子版價(jià)格：4400元
報(bào)告頁(yè)數(shù)：120頁(yè)
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氮化鎵作為重要的III-V 族化合物材料，可制成高效藍(lán)、綠光發(fā)光二極管和激光二極管，隨著氮化鎵半導(dǎo)體器件的問(wèn)世，以氮化鎵為基礎(chǔ)的LED的全彩化以及白光LED產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)成為了目前全球半導(dǎo)體研發(fā)前沿和熱點(diǎn)。其中基于氮化鎵GaN材料的高亮度功率型半導(dǎo)體照明是化合物半導(dǎo)體乃至整個(gè)光電子和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界的研發(fā)熱點(diǎn)，發(fā)展前景極其廣闊。屆時(shí)，還將帶來(lái)IT行業(yè)存儲(chǔ)技術(shù)的革命。

本報(bào)告共分為十個(gè)部分，分別考察了氮化鎵市場(chǎng)、產(chǎn)業(yè)狀況，生產(chǎn)設(shè)備狀況，以及作為白光照明關(guān)鍵材料白光熒光粉狀況，最后對(duì)發(fā)展氮化鎵的政策資源以及產(chǎn)業(yè)基地進(jìn)行了論述，并提出了行業(yè)發(fā)展建議。報(bào)告內(nèi)容撰寫是基于大量調(diào)研基礎(chǔ)上完成的，希望對(duì)行業(yè)內(nèi)企業(yè)、投資者及關(guān)注本項(xiàng)目的發(fā)展機(jī)構(gòu)等提供參考幫助。

該調(diào)研報(bào)告的提綱內(nèi)容如下:

1 氮化鎵材料概述
　1.1 氮化鎵材料的重要性
　1.2 氮化鎵的發(fā)展
　1.3 氮化鎵基器件及應(yīng)用

2 氮化鎵材料晶體結(jié)構(gòu)、襯底材料以及工藝技術(shù)現(xiàn)狀
　2.1 氮化鎵晶體結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
　2.2 氮化鎵外延生長(zhǎng)工藝
　2.3 全球及我國(guó)研發(fā)現(xiàn)狀
　2.4 我國(guó)氮化鎵技術(shù)現(xiàn)狀
　2.5 氮化鎵專利情況

3 氮化鎵市場(chǎng)與產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀與發(fā)展
　3.1 全球市場(chǎng)現(xiàn)狀與發(fā)展
　　3.1.1 飛速膨脹的氮化鎵市場(chǎng)
　　3.1.2 氮化鎵市場(chǎng)規(guī)模與組成
　　3.1.3 全球氮化鎵產(chǎn)能及價(jià)格
　3.2 氮化鎵各主要應(yīng)用市場(chǎng)
　　3.2.1 高亮度LED市場(chǎng)
　　3.2.2 激光器LD市場(chǎng)
　3.3 氮化鎵產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀與發(fā)展
　　3.3.1 氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)
　　3.3.2 全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

4 境外氮化鎵生產(chǎn)企業(yè)現(xiàn)狀與發(fā)展
　4.1 日本
　4.2 美國(guó)
　4.3 歐洲
　4.4 臺(tái)灣
　4.5 韓國(guó)

5 我國(guó)氮化鎵市場(chǎng)與產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀與發(fā)展
　5.1 我國(guó)氮化鎵市場(chǎng)現(xiàn)狀
　　5.1.1 我國(guó)氮化鎵類產(chǎn)品市場(chǎng)供需與產(chǎn)能現(xiàn)狀
　　5.1.2 我國(guó)高亮度LED市場(chǎng)現(xiàn)狀與發(fā)展
　5.2 我國(guó)氮化鎵產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
　5.3 我國(guó)氮化鎵廠商現(xiàn)狀

6 氮化鎵生產(chǎn)設(shè)備及襯底材料產(chǎn)業(yè)狀況
　6.1 氮化鎵的MOCVD設(shè)備
　　6.1.1 金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積（MOCVD）概述
　　6.1.2 氮化鎵MOCVD市場(chǎng)現(xiàn)狀
　　6.1.3 我國(guó)MOCVD設(shè)備現(xiàn)狀
　　6.1.4 MOCVD設(shè)備生產(chǎn)廠商
　6.2 分子束外延（MBE）設(shè)備
　　6.2.1 分子束外延（MBE）設(shè)備概述
　　6.2.2 分子束外延（MBE）設(shè)備市場(chǎng)現(xiàn)狀
　　6.2.3分子束外延（MBE）設(shè)備生產(chǎn)廠家
　6.3 刻蝕（Etch）設(shè)備
　　6.3.1 刻蝕（Etch）概述
　　6.3.2 刻蝕（Etch）設(shè)備生產(chǎn)廠家
　6.4 氮化鎵襯底材料的選擇與生產(chǎn)
　　6.4.1 氮化鎵襯底材料的選擇
　　6.4.2 氮化鎵襯底材料的生產(chǎn)廠家

7 白光LED用熒光粉
　7.1 白光LED照明用光源發(fā)展
　　7.1.1 白光LED照明用光源的興起
　　7.1.2 LED熒光粉的種類
　　7.1.3 白光LED實(shí)現(xiàn)方式
　7.2 白光LED熒光粉市場(chǎng)與產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
　7.3 我國(guó)白光LED產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
　7.4 白光熒光粉廠商現(xiàn)狀
　　7.4.1 國(guó)外廠商
　　7.4.2 國(guó)內(nèi)廠商
　7.5 LED熒光粉專利情況

8 氮化鎵政策資源
　8.1 美國(guó)產(chǎn)業(yè)政策
　8.2 日本產(chǎn)業(yè)政策
　8.3 韓國(guó)產(chǎn)業(yè)政策
　8.4 歐盟產(chǎn)業(yè)政策
　8.5 臺(tái)灣地區(qū)產(chǎn)業(yè)政策　8.6 我國(guó)產(chǎn)業(yè)政策

9 國(guó)家級(jí)產(chǎn)業(yè)基地

10 對(duì)我國(guó)氮化鎵項(xiàng)目的行業(yè)發(fā)展建議
調(diào)研報(bào)告中圖、表目錄：
圖1-1：半導(dǎo)體化合物
圖1-2：LED發(fā)展歷程
圖1-3：氮化鎵市場(chǎng)應(yīng)用市場(chǎng)比重領(lǐng)域
圖1-4：LED產(chǎn)品
圖1-5：不同襯底材料藍(lán)紫色氮化鎵激光芯片的比較圖
圖1-6：氮化鎵HEMT結(jié)構(gòu)
圖2-1：氮化鎵基材料和其他一些半導(dǎo)體材料的禁帶寬度和晶格常數(shù)的關(guān)系
圖2-2：雙氣流MOCVD生長(zhǎng)GaN裝置
圖2-3：住友電工DEEP方法
圖3-1：氮化鎵市場(chǎng)構(gòu)成
圖3-2：全球氮化鎵市場(chǎng)規(guī)模
圖3-3：世界各主要地區(qū)氮化鎵年復(fù)合增長(zhǎng)率
圖3-4：2003～2006年全球GaN芯片月產(chǎn)能區(qū)域布狀況
圖3-5：未來(lái)照明型LED價(jià)格走向
圖3-6：全球高亮度LED材料市場(chǎng)概況及預(yù)測(cè)
圖3-7：全球高亮度LED市場(chǎng)
圖3-8：各種應(yīng)用領(lǐng)域高亮LED應(yīng)用市場(chǎng)預(yù)估
圖3-9：2006年全球LED制造廠商市占率比重
圖3-10：氮化鎵激光器市場(chǎng)變化
圖3-11：LED產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)
圖3-12：氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈條
圖3-13：全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)布局
圖5-1：2006年我國(guó)LED芯片材料的市場(chǎng)銷售額比例
圖5-2：我國(guó)LED市場(chǎng)規(guī)模及增長(zhǎng)率變化
圖5-3：中國(guó)高亮度LED市場(chǎng)概況
圖5-4：國(guó)內(nèi)氮化鎵芯片產(chǎn)能預(yù)估
圖5-5：我國(guó)國(guó)內(nèi)GaN芯片市場(chǎng)規(guī)模
圖5-6：我國(guó)氮化鎵產(chǎn)業(yè)布局
圖6-1：MOCVD市場(chǎng)占有率
圖6-2：沈陽(yáng)科儀高真空MOCVD型外延系統(tǒng)
圖6-3：中電48所生產(chǎn)的GaN MOCVD設(shè)備
圖6-4：AIXTRON RF200/4 RF-S GaN/AlGaN MOCVD設(shè)備
圖6-5：Veeco的TurboDisc K300 GaN MOCVD 系統(tǒng)
圖6-6：英國(guó)Thomas Swan公司的MOCVD設(shè)備
圖6-7：分子束外延（MBE）設(shè)備
圖6-8：Omicron MULTIPROBE 2''和4''晶圓MBE設(shè)備
圖6-9：OxfordV100MBE 設(shè)備
圖6-10：等離子體刻蝕原理示意圖
圖6-11：埃德萬(wàn)斯雙離子束刻蝕系統(tǒng)
圖6-12：中科院微電子研究所生產(chǎn)的刻蝕設(shè)備
圖6-13：德國(guó)SENTECH的刻蝕設(shè)備
圖7-1：不同熒光粉種類的發(fā)光效率
圖7-2：白光LED主要是實(shí)現(xiàn)方式
圖7-3：全球白光LED市場(chǎng)規(guī)模
圖7-4：大連路明發(fā)光科技LMS系列熒光粉
圖7-5：北京中村宇極科技生產(chǎn)LED熒光粉粉末
圖8-1：日本“21世紀(jì)光計(jì)劃”路線圖
圖8-2：中國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向
圖9-1：中國(guó)六大半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)化基地

表1-1：GaN主要應(yīng)用領(lǐng)域以及終端產(chǎn)品
表2-1：列出了纖鋅礦GaN和閃鋅礦GaN的特性比較
表2-2：制備GaN薄膜的幾種主要方法、監(jiān)測(cè)系統(tǒng)及應(yīng)用范圍的比較
表2-3：國(guó)內(nèi)GaN基LED產(chǎn)業(yè)化主要技術(shù)指標(biāo)
表3-1: 全球高亮度LED材料市場(chǎng)預(yù)測(cè)
表3-2：全球主要LED企業(yè)在產(chǎn)業(yè)鏈上的分布
表3-3：中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)鏈個(gè)環(huán)節(jié)主要廠商和產(chǎn)能
表3-4：全球氮化鎵主要企業(yè)
表3-5：國(guó)際主要 LED 企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
表4-1：Epiplus生產(chǎn)的GaN產(chǎn)品
表5-1：我國(guó)氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈
表5-2：我國(guó)氮化鎵企業(yè)統(tǒng)計(jì)
表6-1：各主要MOCVD企業(yè)技術(shù)特點(diǎn)
表6-2：MOCVD設(shè)備訂購(gòu)情況
表6-3：沈陽(yáng)科儀高真空MOCVD產(chǎn)品說(shuō)明
表6-4：Veeco的分子束外延系統(tǒng)
表6-5：三種常見(jiàn)的干法刻蝕比較
表6-6：SAMCO化合物半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備
表6-7：牛津儀器等離子設(shè)備
表6-8：LED襯底材料主要生產(chǎn)企業(yè)
表6-9：國(guó)內(nèi)外藍(lán)寶石襯底材料主要廠商
表7-1：不同類型燈與LED燈的比較
表7-2：白光LED實(shí)現(xiàn)方式
表7-3：廈門量子星產(chǎn)品性能指標(biāo)
表7-4：大連路明發(fā)光科技公司的LMY系列白光LED粉
表7-5：北京中村宇極科技LED熒光粉產(chǎn)品
表8-1：日本21世紀(jì)半導(dǎo)體照明主要研究領(lǐng)域
表8-2：歐盟“彩虹計(jì)劃”研究成果
表9-1：大連半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)分布
表9-2：廈門半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)鏈分布
表9-3：半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)化基地分析

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