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電子專用裝備及儀器 |
1) 193nm波長(zhǎng)的ArF光源的浸潤(rùn)式光刻技術(shù)
2) EUV光刻設(shè)備技術(shù)
3) 90~65nm水平等離子刻蝕設(shè)備技術(shù)
4) 薄膜淀積設(shè)備技術(shù)
5) 化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)設(shè)備技術(shù)
6) 超淺結(jié)低能摻雜設(shè)備技術(shù)
7) 兆聲波清洗技術(shù)
8) 等離子清洗技術(shù)
9) 高速精密主軸技術(shù)、
10) 精密劃切與刀體運(yùn)動(dòng)精密控制技術(shù)
11) 高速/高效引線鍵合技術(shù)
12) 金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積設(shè)備(MOCVD)制造技術(shù)
13) 光刻分辨率增強(qiáng)技術(shù)
14) 裝備工藝缺陷控制技術(shù)
15) 超精密運(yùn)動(dòng)平臺(tái)技術(shù)
16) 離子光學(xué)仿真與設(shè)計(jì)技術(shù)
17) 等離子體多物理場(chǎng)仿真與設(shè)計(jì)技術(shù)
18) 超精密光學(xué)加工與表面檢測(cè)技術(shù)
19) 特種精密機(jī)械零件加工技術(shù)
20) 電子儀器專用高速DSP設(shè)計(jì)/制造技術(shù)、高速D/A轉(zhuǎn)換技術(shù)、系統(tǒng)集成技術(shù)、高速ASIC技術(shù)、軟件技術(shù)
21) 實(shí)時(shí)I/Q 基帶信號(hào)產(chǎn)生和調(diào)制技術(shù)
22) MPEG-X技術(shù)、DVB技術(shù)
23) 高分辨率、低相噪頻率合成技術(shù)
24) 數(shù)字化射頻、中頻技術(shù)
25) 虛擬儀器技術(shù)
26) 高性能、超寬帶矢量頻率捷變發(fā)生與分析技術(shù)
27) 寬帶微波/毫米波技術(shù)
28) 測(cè)試誤差模型修正技術(shù)
29) 總線應(yīng)用技術(shù) |
1) 用于≤100nm線寬集成電路制造的光刻設(shè)備
2) 用于≤100nm線寬集成電路制造的等離子體刻蝕設(shè)備
3) 用于≤100nm線寬集成電路制造的薄膜生長(zhǎng)設(shè)備(含CVD、PVD、ALD、VPE、MBE、ECP等)
4) 用于≤100nm線寬集成電路制造的平坦化設(shè)備(含CMP、SFP)
5) 用于≤100nm線寬集成電路制造的摻雜處理設(shè)備(含離子注入機(jī)、高溫?cái)U(kuò)散爐、快速熱處理設(shè)備等)
6) 用于≤100nm線寬集成電路制造的化學(xué)處理設(shè)備(含清洗、化學(xué)腐蝕設(shè)備等)
7) 8~12英寸集成電路后封裝設(shè)備及模具(含減薄、劃片、粘片、鍵合等)
8) 超大規(guī)模集成電路測(cè)試系統(tǒng)及檢測(cè)設(shè)備(含各種在線檢測(cè)設(shè)備)
9) 8~12英寸硅材料制備設(shè)備
10) 硅基、化合物、寬禁帶半導(dǎo)體關(guān)鍵制造設(shè)備
11) 金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積設(shè)備(MOCVD)
12) 5代及以上TFT-LCD生產(chǎn)線制造設(shè)備
13) 小型鋰離子二次電池、太陽(yáng)能電池(含薄膜太陽(yáng)能電池)關(guān)鍵制造設(shè)備
14) 無(wú)鉛工藝的表面貼裝設(shè)備(含檢測(cè)設(shè)備)
15) 微波/毫米波測(cè)試儀器
16) LXI測(cè)試儀器和系統(tǒng)
17) 數(shù)字存儲(chǔ)示波器
18) 頻譜測(cè)試儀器
19) 電子干擾場(chǎng)強(qiáng)測(cè)試儀器
20) 網(wǎng)絡(luò)測(cè)試儀器
21) 新型電子元器件及顯示器件測(cè)試儀器 |