 產(chǎn)品分類 |
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| 產(chǎn)品名稱：蘋果新機20W充電器PD方案A+C |
| 產(chǎn)品品牌：誠芯微 |
| 產(chǎn)品型號：CX7509 |
| 參考價格：￥1 |
| 瀏覽人數(shù)：1228 |
| 發(fā)布日期：2020/8/6 11:13:58 |
| 聯(lián)系賣方：深圳市誠芯微科技有限公司 |
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| 產(chǎn)品簡介 |
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| CX7509采用SOP一8封裝，最大功率16W。CX7509使用原邊取樣來進行精確的恒流、恒壓控制，可以省去一般應用中的光耦與TL431。CX7509在恒流模式下，輸出功率可由CS腳外接的取樣電阻Rs設定。在恒壓模式下，芯片的多種工作模式可以保證較高的整體轉(zhuǎn)換效率。CX7509此外，芯片內(nèi)置有線壓降補償，由此取得良好的負載調(diào)整率。CX7509在恒流模式下工作于PFM狀態(tài)，在恒壓模式下工作于PWM狀態(tài)，輕載時降頻工作。
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| 產(chǎn)品說明 |
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CX7509采用SOP一8封裝，最大功率16W。CX7509使用原邊取樣來進行精確的恒流、恒壓控制，可以省去一般應用中的光耦與TL431。
CX7509在恒流模式下，輸出功率可由CS腳外接的取樣電阻Rs設定。在恒壓模式下，芯片的多種工作模式可以保證較高的整體轉(zhuǎn)換效率。
CX7509此外，芯片內(nèi)置有線壓降補償，由此取得良好的負載調(diào)整率。CX7509在恒流模式下工作于PFM狀態(tài)，在恒壓模式下工作于PWM狀態(tài)，輕載時降頻工作。
難得糊涂 2018/9/11 11:42:19
一、概述
CX7509 是一顆電流模式PWM 控制芯片，內(nèi)置 650V 高壓功率 MOSFET，應用于功率在 18W 以內(nèi)的方案。CX7509 在 PWM 模式下工作于固定開關(guān)頻率，這個頻率是由內(nèi)部精確設定。在空載或者輕載時，工作頻率由 IC 內(nèi)部調(diào)整。芯片可以工作在綠色模式，以此來減小輕載時的損耗，提高整機的工作效率。CX7509 在啟動和工作時只需要很小的電流，可以在啟動電路中使用一個很大的電阻，以此來進一步減小待機時的功耗。芯片內(nèi)置有斜坡補償電路，當電路工作于大占空比時，避免次諧波振蕩的發(fā)生，改善系統(tǒng)的穩(wěn)定性。內(nèi)置有前沿消隱時（Leading-edge blanking time），消除緩沖網(wǎng)絡中的二極管反向恢復電流對電路的影響。CX7509 采用了抖頻技術(shù)，能夠有效改善系統(tǒng)的 EMI 性能。系統(tǒng)
的跳頻頻率設置在音頻(22KHz)以上，在工作時可以避免系統(tǒng)產(chǎn)生噪音。CX7509 內(nèi)置多種保護，包括逐周期限流保護（OCP），過載保護（OLP），過壓保護（VDD OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通過內(nèi)部的圖騰柱驅(qū)動結(jié)構(gòu)可以更好的改善系統(tǒng)的EMI 特性和開關(guān)的軟啟動控制。
二、特點
l 全電壓范圍（90Vac-265Vac）輸入時待機功耗小于 100mW
l 內(nèi)置 650V 高壓功率管
l 4ms 軟啟動用來減少MOSFET 上 Vds 的應力
l 抖頻功能，改善EMI 性能
l 跳頻模式，改善輕載效率，減小待機功耗
l 無噪聲工作
l 固定 65KHz 開關(guān)頻率
l 內(nèi)置同步斜坡補償
l 低啟動電流，低工作電流
l 內(nèi)置前沿消隱(LEB)功能
l 過載保護（OLP），逐周期限流保護（OCP）
l VDD 過壓保護（VDD OVP），欠壓保護（UVLO），VDD 電壓箝位
l 過溫保護（OTP）
l SOP8 無鉛封裝
CX7538高性能18W PD協(xié)議開關(guān)電源優(yōu)選同步整流IC方案,CX7538 Demo板測試,CX7538 PDF,CX7538規(guī)格書完整版,CX7538樣品領(lǐng)取CALL:13418591615 QQ:1084514658(程先生)
一、概述
CX7538 是一顆高性能的開關(guān)電源次級側(cè)同步整流控制電路。在低壓大電流開關(guān)電源應用中，輕松滿
足 6 級能效，是理想的超低導通壓降整流器件的解決方案。芯片可支持高達 150kHz 的開關(guān)頻率應用，并
且支持 CCM / QR / DCM 等開關(guān)電源工作模式應用，其極低導通壓降產(chǎn)生的損耗遠小于肖特基二極管的導
通損耗，極大提高了系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率，大幅降低了整流器件的溫度。
芯片內(nèi)置耐壓高達 85V 的 NMOSFET 同步整流開關(guān)，且具有極低的內(nèi)阻，典型 RdsON 低至 10mΩ，
可提供系統(tǒng)高達 3A 的應用輸出；還內(nèi)置了高壓直接檢測技術(shù)，耐壓高達 200V；以及高達 30V 的供電電
壓，使得控制器可直接使用高至 24V 的輸出電壓整流應用中，極大擴展了使用范圍。
高集成度的電路設計使得芯片外圍電路極其簡單，在 QC 與 PD 5V/9V/12V 應用中，只需搭配 1 顆電
容，即可構(gòu)建一個完整的同步整流應用系統(tǒng)。
二、特點:
支持開關(guān)電源 CCM/QR/DCM 模式
極佳的 5V/9V/12V 快充同步整流應用
內(nèi)置 MOS 耐壓達 85V
內(nèi)置 MOS 的導通電阻最低至 10mΩ
較傳統(tǒng)肖特基提升效率 2~6%
極寬的工作電壓范圍 4.5V 至 36V
可 5V 直接供電或由輔助繞組供電
靜態(tài)工作電流可低至 600uA
支持開關(guān)電源頻率最高至 150KHz
至簡外圍應用無需任何原件
SOP8 封裝形式
三、應用范圍:
5V3A~12V2A、快充電源
18W-PD 快充電源
高能效開關(guān)電源
典型應用:QC2.0、5V3A、9V2A、12V2A
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