【產(chǎn)通社，6月10日訊】德州儀器（Texas Instruments Incorporated；NASDAQ股票代碼：TXN）官網(wǎng)消息，李原榮副總裁暨臺灣、韓國與南亞總裁于2022 COMPUTEX Taipei論壇中，以“資料中心正在擴建 – 以氮化鎵（GaN）技術(shù)實現(xiàn)更高效率”為題，分享設計工程師如何利用TI氮化鎵（GaN）技術(shù)為資料中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案，進而在現(xiàn)有的資料中心實現(xiàn)最大效率。 

李原榮表示：“隨著各產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導者期盼透過資料中心實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新，從而也提高了運算能力的需求，我們希望協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵（GaN）技術(shù)的潛力，以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。多年來，我們一直致力于支援臺灣和全球客戶在不同應用領(lǐng)域中迅速發(fā)展。TI的自有產(chǎn)能和長期投資使我們能夠快速擴展氮化鎵（GaN）等各項技術(shù)，以協(xié)助客戶透過實現(xiàn)更小的系統(tǒng)來滿足不斷增長的市場需求，進而以更高的效率處理更多數(shù)據(jù)�！� 

面對擴建資料中心的有限空間和服務器持續(xù)運行所需的大量電力，企業(yè)必須不斷提高資料中心的用電效率及功率密度。TI的GaN FET如LMG3525R030整合快速切換驅(qū)動器，以及內(nèi)部保護與溫度感測功能，可在有限的電路板空間中具有更高效能表現(xiàn)，實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的功率密度（100W/in3）。

TI的C2000實時微控制器提供復雜并具時效性的處理能力、精確控制、軟件和周邊產(chǎn)品可擴充性等，透過支援不同電源設計與高切換頻率的特性，能充分發(fā)揮GaN型電源解決方案潛能，從而最大限度地提高電源效率。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://news.ti.com.cn。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）