【產(chǎn)通社，9月29日訊】北京賽微電子股份有限公司（Sai MicroElectronics Inc.；股票代碼：300456）官網(wǎng)消息，第23屆中國(guó)集成電路制造年會(huì)暨2020年廣東集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇9月17日在廣州召開，董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理?xiàng)钤拼骸⒆庸救鸬銼ilex董事聶鐵輪、子公司聚能晶源&聚能創(chuàng)芯總經(jīng)理袁理應(yīng)邀參加了此次會(huì)議。

瑞典Silex董事聶鐵輪：MEMS市場(chǎng)已延伸為微器件加工中心

瑞典Silex董事聶鐵輪講述了賽微電子及其旗下子公司賽萊克斯國(guó)際、賽萊克斯北京等公司的發(fā)展歷程及業(yè)務(wù)優(yōu)勢(shì)。在他看來(lái)，MEMS市場(chǎng)已經(jīng)從早期的傳感器器件延伸為微米級(jí)的微器件加工中心，終端用戶直接需求向“高端定制研發(fā)、小批量、多品種”轉(zhuǎn)變，同時(shí)隨著跨界新行業(yè)需求成為主流，產(chǎn)品開發(fā)和工藝一體化的服務(wù)需求逐漸成為主流，在此背景下，賽萊克斯擁有的多種先進(jìn)加工工藝及400多種傳感器的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，為其吸引客戶、開拓市場(chǎng)提供了強(qiáng)有力的保證。

目前賽萊克斯北京正在國(guó)內(nèi)建設(shè)一條8英寸MEMS國(guó)際代工線，該產(chǎn)線代表了MEMS領(lǐng)域的先進(jìn)水平與規(guī)模產(chǎn)能，建成投產(chǎn)后將為全球MEMS產(chǎn)品客戶的研發(fā)和量產(chǎn)提供成熟的技術(shù)支持和產(chǎn)能保障。如今，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)入高速成長(zhǎng)期，依托公司的技術(shù)、團(tuán)隊(duì)優(yōu)勢(shì)，賽微電子的MEMS業(yè)務(wù)必將迎來(lái)新一輪的快速發(fā)展。

聚能晶源&聚能創(chuàng)芯總經(jīng)理袁理：GaN功率器件優(yōu)勢(shì)

聚能晶源&聚能創(chuàng)芯總經(jīng)理袁理以“基于GaN材料與器件技術(shù)，打造國(guó)產(chǎn)化新型功率器件供應(yīng)鏈”為題，分享了GaN功率器件的優(yōu)勢(shì)及公司在GaN材料與器件研發(fā)方面做出努力及成績(jī)。

作為第三代半導(dǎo)體，GaN器件得益于材料優(yōu)勢(shì)，在速度、效率、耐高溫、抗輻照等方面均優(yōu)于傳統(tǒng)硅器件，在功率領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。在此背景下，賽微電子著手布局了聚能晶源與聚能創(chuàng)芯項(xiàng)目，開展GaN材料與器件的產(chǎn)業(yè)化工作。聚能晶源先后攻克了GaN與Si材料之間晶格失配、大尺寸外延應(yīng)力控制、高耐壓GaN外延生長(zhǎng)等技術(shù)難關(guān)，于2018年底成功研發(fā)出具備全球領(lǐng)先水平的8英寸硅基GaN外延晶圓，該晶圓具有高耐壓、耐高溫、低漏電、低成本等優(yōu)點(diǎn)。2020年4月，聚能創(chuàng)芯成功開發(fā)650V系列GaN功率器件產(chǎn)品，并發(fā)布基于該系列GaN功率器件的PD快充應(yīng)用示例，為目前需求旺盛的GaN快充領(lǐng)域提供了高性能、高性價(jià)比的全國(guó)產(chǎn)技術(shù)解決方案。

基于兩項(xiàng)目實(shí)施，賽微電子可實(shí)現(xiàn)GaN材料、器件與應(yīng)用的國(guó)產(chǎn)化供應(yīng)，為5G通訊、智能終端、大數(shù)據(jù)自動(dòng)駕駛等領(lǐng)域提供新型功率器件產(chǎn)品和應(yīng)用開發(fā)服務(wù)。

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