【產(chǎn)通社，8月25日訊】宜普電源轉(zhuǎn)換公司宜普電源轉(zhuǎn)換公司（Efficient Power Conversion Corporation，EPC）消息，其將于兩個(gè)業(yè)界研討會(huì)以應(yīng)用為主題發(fā)表演講，展示新一代硅基增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN FET）。

上海第三屆世界無線供電行業(yè)峰會(huì)

宜普公司的專家將展示由于氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN FET）具備優(yōu)越特性如具有低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及小尺寸，因此作為高度諧振并符合Rezence（A4WP）標(biāo)準(zhǔn)的無線電源傳送系統(tǒng)的理想器件，它可以提高該應(yīng)用的效率。我們對(duì)采用MOSFET及氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的轉(zhuǎn)換器在峰值功率、負(fù)載變化及負(fù)載調(diào)制性能等各方面進(jìn)行比較。
  . 主體：基于氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN FET）并采用全新零電壓開關(guān)D類放大器拓?fù)涞臒o線電源傳送應(yīng)用
  . 講者：宜普電源轉(zhuǎn)換公司應(yīng)用工程副總裁Johan Strydom博士
  . 日期/時(shí)間：2014年8月26日星期二下午4時(shí)30分至5時(shí)10分

深圳第十九屆IIC China功率管理及功率半導(dǎo)體研討會(huì)

最新一代氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管為業(yè)界提高電源轉(zhuǎn)換的性能基準(zhǔn)。由于全新第四代氮化鎵器件系列在主要開關(guān)品質(zhì)因數(shù)方面取得重大增益，因此在性能上可進(jìn)一步拋離日益陳舊的功率MOSFET器件。我們將展示的應(yīng)用范例包括取得93.5%效率的12V轉(zhuǎn)至1.2V、50A的負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換器，以及取得超過98%效率的48V轉(zhuǎn)至12V、30A的非隔離型直流-直流中間總線轉(zhuǎn)換器。
  . 主體：“電源管理及功率半導(dǎo)體：第四代氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN FET）”
  . 講者：宜普電源轉(zhuǎn)換公司亞太區(qū)FAE總監(jiān)鄭正一
  . 日期/時(shí)間：2014年9月4日星期二下午3時(shí)40分至4時(shí)20分

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