【產(chǎn)通社，12月22日訊】TriQuint半導(dǎo)體公司（納斯達克代碼：TQNT）官網(wǎng)消息，其四款新的氮化鎵（GaN）HEMT射頻功率晶體管具有卓越增益和效率，并且非常耐用。新產(chǎn)品可使放大器的尺寸減半，同時改進效率和增益，是商業(yè)通信和測試設(shè)備系統(tǒng)等類似的寬帶系統(tǒng)應(yīng)用的理想選擇。

產(chǎn)品特點

新的氮化鎵晶體管可在直流至6GHz寬廣的工作頻率上提供30-37W（CW）射頻輸出功率，其中：
 . 28V的T1G6003028-FS，工作頻率為直流至6GHz，提供30W的輸出功率，在3.5GHz和6GHz頻率時的效率分別為55%和44%。
 . T1G6003028-FL提供相同的性能，并且采用法蘭封裝來滿足不同封裝的要求。
 . 32V的T1G4003532-FS和法蘭封裝的T1G4003532-FL是用于S波段及類似應(yīng)用的理想選擇。

所有四款新的氮化鎵晶體管均可承受高達10:1的駐波比（VSWR） 失配而不損害功能，同時為在高漏偏壓條件下工作而優(yōu)化，從而降低系統(tǒng)成本和散熱管理成本。

供貨與報價

查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://cn.triquint.com/。