【產(chǎn)通社，11月13日訊】安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor；美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）消息，其P3P8203A有源擴(kuò)頻時(shí)鐘產(chǎn)生器集成電路(IC)可管理時(shí)鐘源的電磁干擾(EMI)及射頻干擾(RFI)，為所有依賴于時(shí)鐘的信號(hào)在系統(tǒng)范圍內(nèi)降低EMI。

安森美半導(dǎo)體工業(yè)及時(shí)序產(chǎn)品副總裁Ryan Cameron說(shuō)：“符合EMI規(guī)范同時(shí)控制成本及盡量減少PCB占位面積，是便攜及計(jì)算應(yīng)用的重大挑戰(zhàn)。我們新的EMI降低IC解決這些挑戰(zhàn)，提供高性價(jià)比的方案，降低時(shí)鐘源及源自時(shí)鐘源的下行時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號(hào)的EMI/RFI。設(shè)計(jì)工程師在設(shè)計(jì)周期及早應(yīng)用這些器件，可無(wú)須采用其他方案，也無(wú)須加入高成本的額外PCB層或屏蔽來(lái)處理EMI/RFI問(wèn)題。”

產(chǎn)品特點(diǎn)

P3P8203A LVCMOS峰值EMI降低時(shí)鐘產(chǎn)生器的目標(biāo)應(yīng)用為圖形卡、計(jì)算及消費(fèi)等應(yīng)用。這器件支持3.3V輸入電壓，頻率范圍為18-36MHz，通過(guò)外部電阻模擬控制擴(kuò)頻偏差。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員選擇該外部電阻之不同值在輸出提供所想要額度的擴(kuò)頻偏差，便能更靈活地定制應(yīng)用，使在其應(yīng)用中取得達(dá)致降低EMI的要求。P3P8203A采用8引腳、2×2×0.8mm WDFN封裝，非常適合用于印制電路板(PCB)空間受限的應(yīng)用。工作溫度范圍為0°C至+70°C。

P3MS650100H和P3MS650103H LVCMOS峰值EMI降低時(shí)鐘產(chǎn)生器非常適合用于PCB空間受限的應(yīng)用，如手機(jī)和平板電腦等便攜電池供電設(shè)備；在這些應(yīng)用中，EMI/RFI可能是重大挑戰(zhàn)，而遵從EMI/RFIF規(guī)范是先決條件。這兩款通用新擴(kuò)頻型時(shí)鐘產(chǎn)生器采用尺寸僅為1×1.2×0.8mm的微型4引腳WDFN封裝，提供業(yè)界最小的獨(dú)立式有源方案，用于降低時(shí)鐘源及源自時(shí)鐘源的下行時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號(hào)的EMI/RFI。

P3MS650100H和P3MS650103H支持1.8-3.3V的輸入電壓范圍，典型擴(kuò)頻偏差為0.45-1.4%，減小15MHz至60MHz頻率范圍之時(shí)鐘源的EMI/RFI。工作溫度范圍為-20°C至+85°C。

供貨與報(bào)價(jià)

P3P8203A采用8引腳WDFN封裝，每批量10,000片的單價(jià)為0.44美元。P3MS650100H及P3MS650103H采用4引腳WDFN封裝，每批量10,000片的單價(jià)為0.24美元。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.onsemi.cn。