【產(chǎn)通社，10月10日訊】安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor；美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)消息，其加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項(xiàng)目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件。
 
氮化鎵具有優(yōu)異電子遷移率、更高擊穿電壓及良好導(dǎo)熱性的特性，使其非常適合于要求高開關(guān)能效的功率器件及射頻(RF)器件。如今，基于氮化鎵的功率器件成本過高，不適合大批量制造，因?yàn)樗鼈兪褂梅菢?biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)工藝在小半徑的晶圓上制造。

imec的廣泛規(guī)模研究項(xiàng)目著重于開發(fā)200mm晶圓上的硅基氮化鎵技術(shù)，及降低氮化鎵器件成本和提升性能。imec匯聚領(lǐng)先集成器件制造商(IDM)、晶圓代工廠、化合物半導(dǎo)體公司、設(shè)備供應(yīng)商及襯底供應(yīng)商，已經(jīng)卓有成效地取得重大技術(shù)進(jìn)步。

2011年，imec的研究項(xiàng)目成功地生產(chǎn)出200mm硅基氮化鎵晶圓，該工藝讓標(biāo)準(zhǔn)高生產(chǎn)率200mm晶圓廠隨手可得。此外，imec開發(fā)了兼容于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝及工具的制造工藝，這是高性價(jià)比工藝的第二個(gè)先決條件。

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