【產(chǎn)通社，7月6日訊】應用材料公司（Applied Materials）官網(wǎng)消息，其Applied Centura Avatar介電層蝕刻系統(tǒng)可解決建立3D內(nèi)存架構(gòu)的嚴峻挑戰(zhàn)。3D內(nèi)存架構(gòu)可提供高密度兆位儲存容量，為未來數(shù)據(jù)密集型行動裝置所必需。

應用材料公司副總裁暨蝕刻事業(yè)群總經(jīng)理琶布．若杰(Prabu Raja)博士表示：“3D內(nèi)存結(jié)構(gòu)必須在復雜的多層材料堆棧中進行深度的特征結(jié)構(gòu)蝕刻，Avatar系統(tǒng)利用我們在電漿領(lǐng)域的領(lǐng)導技術(shù)，解決3D內(nèi)存結(jié)構(gòu)的制程挑戰(zhàn)�？蛻魧τ谛孪到y(tǒng)的突破性功能非常感興趣，我們已售出超過30組系統(tǒng)給多家客戶，用于各項重要應用，其中包括未來內(nèi)存芯片的試產(chǎn)�！�

產(chǎn)品特點

Avatar系統(tǒng)為全新設(shè)計，可在3D NAND內(nèi)存數(shù)組進行既深且窄的蝕刻，這些3D數(shù)組是令人振奮的新型閃存裝置，有多達64層垂直建立的記憶單元，可在小面積內(nèi)建立極高的位密度。Avatar系統(tǒng)可在復合薄膜堆棧層中進行孔洞性蝕刻及溝槽性蝕刻，深寬比可高達80:1，以形狀比例來形容的話，美國華盛頓紀念碑的深寬比是10:1高(臺北101大樓約9:1)。

此外，該系統(tǒng)是第一款具備能同時蝕刻深度變化落差 極大的特征結(jié)構(gòu)功能的系統(tǒng)，對于制造連接外界與各層記憶單元的“階梯式”接觸結(jié)構(gòu)非常重要。

供貨與報價

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