【產(chǎn)通社，6月17日訊】羅姆集團(tuán)（ROHM Co., Ltd.）消息，其面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC MOSFET SCH2080KE。新產(chǎn)品成功實(shí)現(xiàn)了SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝，內(nèi)部二極管的正向電壓(VF)降低70%以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)還可減少部件個(gè)數(shù)，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。

產(chǎn)品特點(diǎn)

現(xiàn)在，在1200V級別的逆變器和轉(zhuǎn)變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復(fù)導(dǎo)致的功率轉(zhuǎn)換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動作的SiC-MOSFET的開發(fā)備受期待。但是，傳統(tǒng)的SiC-MOSFET，體二極管通電導(dǎo)致的特性劣化(導(dǎo)通電阻和正向電壓的上升/耐性劣化)和柵氧化膜故障等可靠性方面的課題較多，之前無法實(shí)現(xiàn)真正的全面導(dǎo)入。
 
此次，羅姆通過改善晶體缺陷相關(guān)工藝和元件構(gòu)造，成功地攻克了包括體二極管在內(nèi)的可靠性方面的所有課題。而且，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約30%，實(shí)現(xiàn)了芯片尺寸的小型化。另外，通過獨(dú)創(chuàng)的安裝技術(shù)，還成功將傳統(tǒng)上需要外置的SiC-SBD一體化封裝，使SiC-MOSFET的體二極管長久以來的課題—降低正向電壓成為可能。

與一般的逆變器中所使用的Si-IGBT相比，工作時(shí)的損耗降低了70%以上，實(shí)現(xiàn)了更低損耗的同時(shí)，還實(shí)現(xiàn)了50kHz以上的更高頻率，而且有助于外圍部件的小型化。SCH2080KE主要特點(diǎn)包括：

1) SiC-MOSFET與SiC-SBD一體化封裝：成功實(shí)現(xiàn)SCH2080KE與傳統(tǒng)上需要外置的SiC-SBD的一體化封裝，降低了正向電壓�？蓽p少部件個(gè)數(shù)，而且有助于進(jìn)一步節(jié)省空間。產(chǎn)品陣容中還包括傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的SCT2080KE，可滿足客戶的多種需求。
 
2) 無開啟電壓，具備卓越的電流電壓特性：通過優(yōu)化工藝和元件構(gòu)造，與第1代產(chǎn)品相比，單位面積的導(dǎo)通電阻降低約30%。不存在一般使用的Si-IGBT長久以來所存在的開啟電壓，因此即使在低負(fù)載運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)損耗也很低。
 
3) 正向電壓降低70%以上，減少了損耗和部件個(gè)數(shù)：SiC-MOSFET的體二極管，在SiC物質(zhì)特性的原理上決定了其開啟電壓較大，高達(dá)2.5V以上，常常成為逆變器工作時(shí)的損耗。SCH2080KE集SiC-SBD與SiC-MOSFET于同一封裝內(nèi)，大大降低了正向電壓。不僅損耗更低，還可減少部件個(gè)數(shù)。
 
4) 無尾電流，可進(jìn)行低損耗開關(guān)：由于不會產(chǎn)生Si-IGBT中常見的尾電流，因此關(guān)斷時(shí)的開關(guān)損耗可減少90%，有助于設(shè)備更加節(jié)能。另外，達(dá)到了Si-IGBT無法達(dá)到的50kHz以上的開關(guān)頻率，因此，可實(shí)現(xiàn)外圍設(shè)備的小型化、輕量化。
 

供貨與報(bào)價(jià)

SCH2080KE從6月份開始出售樣品，從7月份開始陸續(xù)量產(chǎn)。另外，此次還同時(shí)開發(fā)了與SiC-SBD非同一封裝的型號SiC-MOSFET SCT2080KE，提供滿足不同電路構(gòu)成和客戶需求的產(chǎn)品。查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.rohm.com.cn。