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安森美半導(dǎo)體NCN3612B和NCN3411支持PCIe3.0及DP1.2接口
2012/3/29 9:23:48     

【產(chǎn)通社,3月29日訊】安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,納斯達克上市代號:ONNN)消息,其推出了兩款采用單刀雙擲(SPDT)開關(guān)配置的新多通道差分開關(guān)集成電路(IC),應(yīng)用于PCI Express 3.0及DisplayPort 1.2輸入/輸出(I/O)信號等高頻信號,目標(biāo)應(yīng)用包括筆記本、臺式計算機、服務(wù)器及網(wǎng)絡(luò)存儲設(shè)備。

安森美半導(dǎo)體接口及電源產(chǎn)品總監(jiān)高天寶(Thibault Kassir)說:“NCN3612B和NCN3411固有低導(dǎo)通電容及低導(dǎo)通電阻,令其能提供更低的數(shù)據(jù)邊緣速率及更低的插入損耗。因此,這些器件能配合當(dāng)今系統(tǒng)設(shè)計指定的最新高速接口標(biāo)準(zhǔn)提供所需的信號完整性水平!


產(chǎn)品特點


6通道差分SPDT開關(guān)NCN3612B由于它的高帶寬,支持8Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率。它的導(dǎo)通電容(CON)為2.1pF(典型值),導(dǎo)通電阻(RDSON)為8Ω(典型值)。與這器件相輔相成的是同樣能支持8Gbps工作的4通道差分開關(guān)NCN3411。

NCN3411的導(dǎo)通電容為2pF(典型值),導(dǎo)通電阻(RDSON)為7.5Ω(典型值)。這些特性使這兩款新器件非常適合用于PCI Express 3.0及DispalyPort 1.2 I/O信號路由。

NCN3612B的電源電壓范圍為3-3.6V,消耗的供電電流僅為250μA(典型值);而NCN3411的電源電壓范圍為1.5-2.0V,消耗的供電電流為200μA。這些新器件的環(huán)境工作溫度范圍為-40°C至+85°C。


供貨與報價


NCN3612B采用無鉛56引腳WQFN (5×11×0.75mm)封裝,每2,000片批量的單價為1.30美元。NCN3411采用無鉛42引腳WQFN (3.5×9×0.75mm)封裝,每2,000片批量的單價為1.15美元。查詢進一步信息,請訪問官方網(wǎng)站http://www.onsemi.cn。(楊春葉,EBA Communications Ltd/博達公關(guān))

    (完)
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