|
(2006年9月1日 北京)——IBM、特許半導(dǎo)體、英飛凌科技和三星近日聯(lián)合推出四方合作采用45納米低功耗工藝制造的首批芯片,并開(kāi)始供應(yīng)設(shè)計(jì)套件。關(guān)鍵設(shè)計(jì)元素的早期硅化,加上首批設(shè)計(jì)套件,能夠讓設(shè)計(jì)者率先演進(jìn)至這個(gè)由行業(yè)領(lǐng)先的CMOS工藝研發(fā)聯(lián)盟研制的最新工藝。首批設(shè)計(jì)套件是四大公司聯(lián)合打造的,現(xiàn)已開(kāi)始供貨。 這批首次采用45納米工藝制造的面向下一代通信系統(tǒng)的工作電路,擁有成熟的硅性能,運(yùn)用了聯(lián)盟伙伴聯(lián)合開(kāi)發(fā)的工藝。這批芯片在聯(lián)合開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)的駐地——IBM設(shè)在紐約州East Fishkill的300毫米晶圓工廠生產(chǎn)。已成功通過(guò)驗(yàn)證的功能塊,有英飛凌提供的標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)元件、輸入/輸出元件,還有聯(lián)盟開(kāi)發(fā)的嵌入式存儲(chǔ)器。英飛凌已在首批300毫米晶圓上實(shí)現(xiàn)了特殊電路,以測(cè)試這個(gè)復(fù)雜的工藝,并取得產(chǎn)品架構(gòu)互動(dòng)方面的初步經(jīng)驗(yàn)。 “這一研發(fā)成果,是我們?cè)趫?zhí)行盡早采用最先進(jìn)的技術(shù)平臺(tái)開(kāi)發(fā)優(yōu)化型產(chǎn)品解決方案這一戰(zhàn)略的過(guò)程中,取得的又一個(gè)重大進(jìn)展,” 英飛凌科技董事會(huì)成員兼通信解決方案業(yè)務(wù)部總裁Hermann Eul說(shuō),“采用45納米工藝制造的首批芯片,代表了我們最尖端的技術(shù),同時(shí)具備高性能和低功耗特性。這一解決方案可很好地滿足下一代移動(dòng)通信的需求。” 首批設(shè)計(jì)套件融合了四方的設(shè)計(jì)專長(zhǎng),能夠幫助客戶更早轉(zhuǎn)換至新的工藝,同時(shí)繼續(xù)推動(dòng)單設(shè)計(jì)、多晶圓廠制造能力,從而最有效地發(fā)揮他們的設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì),并最終為消費(fèi)者帶來(lái)實(shí)實(shí)在在的利益。45納米低功耗工藝,預(yù)期將于2007年底在特許半導(dǎo)體 、IBM和三星的300毫米晶圓廠安裝并得到全面鑒定。 “首批45納米產(chǎn)品的速度、創(chuàng)新性和完備性,充分展示了四大公司之間的合作力量,能夠?yàn)榭蛻魩?lái)更高的價(jià)值。我們的初期硬件測(cè)試結(jié)果顯示,45納米結(jié)點(diǎn)器件的性能,至少比65納米結(jié)點(diǎn)器件高出30%。產(chǎn)品開(kāi)發(fā)人員可以充滿信心地利用該設(shè)計(jì)工藝,”IBM半導(dǎo)體研發(fā)部副總裁兼聯(lián)合開(kāi)發(fā)聯(lián)盟主管Lisa Su說(shuō),“憑借這個(gè)由行業(yè)領(lǐng)袖組成的聯(lián)盟在世界各地的優(yōu)良研發(fā)資源和大量的知識(shí)資產(chǎn),我們能夠比單兵作戰(zhàn)更快、更有效地向客戶和市場(chǎng)推出新的制造工藝和設(shè)計(jì)?蛻艨色@得的另一個(gè)好處是靈活性——他們可以對(duì)這項(xiàng)工藝進(jìn)行評(píng)估,因?yàn)镚DSII具有廣泛的兼容性! “IBM、特許半導(dǎo)體 、英飛凌和三星之間的獨(dú)特合作,降低了采用高級(jí)工藝的固有風(fēng)險(xiǎn),”三星電子公司系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)部高級(jí)技術(shù)開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)副總裁Ho-Kyu Kang說(shuō),“我們的客戶可以充分利用四個(gè)行業(yè)領(lǐng)袖在開(kāi)發(fā)領(lǐng)先設(shè)計(jì)套件和工藝方面的系統(tǒng)級(jí)產(chǎn)品設(shè)計(jì)和制造專長(zhǎng)優(yōu)勢(shì)! (完)
|