【產(chǎn)通社，2月1日訊】英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:IFNNY）消息，其采用創(chuàng)新型封裝技術(shù)的40V OptiMOS T2功率晶體管面向純電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車等，為要求苛刻的汽車電子應(yīng)用帶來更大的電流承受能力和更高效率。新推出的TO封裝符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)H-PSOF（散熱型塑料小外形扁平引線），漏極電流高達(dá)300A，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）低至0.76mΩ。

H-PSOF封裝可幫助汽車電子制造商更好地服務(wù)于大電流應(yīng)用市場。這些應(yīng)用包括混合動(dòng)力電動(dòng)汽車的電池管理、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向（EPS）、汽車發(fā)電機(jī)，以及其它可提高燃油效率和降低排放的大負(fù)載應(yīng)用。美國市場研究公司Strategy Analytics在最近發(fā)布的一份研究報(bào)告中指出，一個(gè)快速增長的應(yīng)用領(lǐng)域是汽車EPS和啟停系統(tǒng)。預(yù)計(jì)到2016年，該市場的銷量將從2011年的4700萬套增至1.1億套以上，年均復(fù)合增長率約為19%。

英飛凌科技股份公司汽車電子事業(yè)部總裁Jochen Hanebeck表示：“通過開發(fā)創(chuàng)新型H-PSOF封裝，加上其深厚的汽車系統(tǒng)專業(yè)知識(shí)，英飛凌進(jìn)一步增強(qiáng)了其在汽車和電力電子領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。這一面向大電流MOSFET的全新封裝，能夠讓我們的汽車系統(tǒng)供應(yīng)商客戶設(shè)計(jì)出能效和可靠性更高的汽車電子產(chǎn)品，從而達(dá)到汽車油耗和排放的需求。”

　　
產(chǎn)品特點(diǎn)

性能更高的功率電子元器件, 可幫助汽車系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員達(dá)到更高的強(qiáng)制性的汽車燃油效率標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)滿足苛刻的總體排放要求。為達(dá)到這些標(biāo)準(zhǔn)，需要采用電流承受能力超過200A，導(dǎo)通電阻低于1毫歐的功率MOSFET，以降低傳輸損耗并提高總體效率。迄今為止，汽車市場尚未推出滿足這些需求的MOSFET。
　　
通過推出H-PSOF封裝技術(shù)，英飛凌設(shè)立了一個(gè)新的里程碑，可提供漏極電流高達(dá)300A，導(dǎo)通電阻低至0.76mΩ的40V功率MOSFET。此外，相比通常用于同類汽車應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)D2PAK封裝（TO-263）而言，H-PSOF封裝的尺寸更小，高度更低。H-PSOF封裝的面積比目前的D2PAK小20%左右，高度幾乎是D2PAK的一半。
　　
開發(fā)H-PSOF封裝的主要目標(biāo)是降低封裝電阻，并在具備較大電流承受能力的D2PAK的基礎(chǔ)之上，進(jìn)一步提高封裝的電流承受能力。
　　
H-PSOF封裝還具備組裝和制造上的優(yōu)勢(shì)。其特殊的設(shè)計(jì)可確保良好的可焊性，從而實(shí)現(xiàn)可靠的焊接。此外，組裝和制造廠還能利用自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)（AOI）設(shè)備控制焊接引線，而AOI是表面貼裝工藝（SMT）生產(chǎn)線中常有的一部分。
　　

供貨與報(bào)價(jià)

采用H-PSOF封裝的首款產(chǎn)品是IPLU300N04S4-R7，是英飛凌40V OptiMOS T2汽車級(jí)功率晶體管產(chǎn)品家族的一員。該家族是節(jié)能增效、二氧化碳減排和電力傳動(dòng)應(yīng)用的全球標(biāo)桿性產(chǎn)品。IPLU300N04S4-R7的連續(xù)漏極電流（ID）為300A，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為0.76mΩ。英飛凌采用H-PSOF封裝的器件符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)。

英飛凌還計(jì)劃推出更多采用H-PSOF封裝的40V和30V汽車級(jí)MOSFET。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.infineon.com/automotivemosfet，以及http://www.infineon.com/automotive。（楊春葉，博達(dá)公關(guān)）