【產(chǎn)通社，12月19日訊】IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 消息，其F1150和F1152低功耗、低失真射頻（RF）至中頻（IF）混頻器面向手機(jī)基站設(shè)備，可改善系統(tǒng)三階互調(diào)（IM3）性能并減少功耗，從而實(shí)現(xiàn)改進(jìn)的服務(wù)質(zhì)量（QoS）和4G無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中更小的附件和增強(qiáng)的可靠性。

IDT公司通信部總經(jīng)理兼副總裁Tom Sparkman表示：“我們最新的RF至IF混頻器產(chǎn)品鞏固了我們在無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位和將我們的產(chǎn)品組合擴(kuò)展到射頻信號鏈。IDT F1150和F1152擁有低功耗和低IM3失真，可滿足我們客戶正緊密部署的4G基站解決方案的關(guān)鍵需求。我們的客戶非常歡迎混頻器高性能和全功能的特點(diǎn)，他們已經(jīng)在使用IDT的高性能產(chǎn)品，包括時(shí)鐘和計(jì)時(shí)、RapidIO和來自我們完整通信產(chǎn)品組合的其他器件�！�

產(chǎn)品特點(diǎn)

IDT F1150和F1152是低功耗、低失真的雙通道1700–2200MHz RF至IF混頻器，擁有非常好的線性指標(biāo)（+42dBm）三階交調(diào)（IP3O）以實(shí)現(xiàn)極佳的互調(diào)抑制，使其成為4G無線基站中多載波、多模蜂窩系統(tǒng)的理想選擇。與標(biāo)準(zhǔn)混頻器相比，該混頻器減少功耗超過40%，極大減少了熱耗散并減輕了射頻的散熱要求－這對如今高度緊湊設(shè)備來說是一項(xiàng)關(guān)鍵因素。此外，器件改善IM3失真超過15dB，可實(shí)現(xiàn)更好的信噪比（SNR），使得客戶能夠使用更高的前端增益改進(jìn)性能。

IDT F1150和F1152與低噪聲數(shù)字控制IF可變增益放大器F1200相得益彰，F(xiàn)1200是IDT不斷增加的RF信號通道產(chǎn)品中最近推出的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品利用IDT的模擬專長和豐富的數(shù)字經(jīng)驗(yàn)，以提供可優(yōu)化客戶應(yīng)用的系統(tǒng)級解決方案。

供貨與報(bào)價(jià)

IDT F1150（高本振注入）和F1152（低本振注入）已向合格客戶提供樣品，提供36引腳6x6毫米QNF封裝。查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.idt.com/go/RF。