全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出三款新型25V DirectFET MOSFET，包括IRF6622控制MOSFET、IRF6628和IRF6629同步MOSFET，主要應(yīng)用于服務(wù)器和電信系統(tǒng)中的嵌入式CPU電源、VRM模塊，以及嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器。這些應(yīng)用需要更高的效率和更好的導(dǎo)熱效果，從而提高功率密度。
　　IR中國銷售總監(jiān)嚴(yán)國富指出：“與20V器件相比，新型25V DirectFET器件可提供更充分的電壓裕量，更符合12V應(yīng)用的需要。而且與同樣有源硅片面積的30V器件相比, 25V器件可以減少功耗�！薄　�
　　IRF6622控制MOSFET的柵極電荷很低(Qg=12nC)，有助減少開關(guān)損耗。經(jīng)過優(yōu)化的IRF6628和IRF6629同步MOSFET，不但傳導(dǎo)損耗低，導(dǎo)通電阻RDS(on)也很低，分別只有1.9mOhms和1.6mOhms。IRF6622采用小罐式DirectFET封裝及SQ占板面積；而IRF6628和IRF6629則采用中罐式DirectFET封裝及MX占板面積。
　　新型25V DirectFET是專為每相位20A到30A的器件設(shè)計的。在12VIN、1.3VOUT、300kHz的5相位設(shè)計中，如果每相位采用1對IRF6622和IRF6628，再配合IR XPhase芯片組，那么在130A下即可實現(xiàn)88%的效率。在相同條件下，IRF6622和IRF6629的組合效率更高，在130A時可達(dá)88.5%。
    IRF6622采用DirectFET SQ封裝，IRF6628采用DirectFET MX封裝，IRF6629采用DirectFET MX封裝，這三款DirectFET MOSFET現(xiàn)已供貨，產(chǎn)品均符合有害物質(zhì)限制（RoHS）規(guī)定。詳細(xì)資料可瀏覽www.irf.com及www.irf.com.cn。    （完）