【產(chǎn)通社，6月11日訊】Techwire International消息，RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq GS股市代號(hào)：RFMD）用于65V操作的GaN1功率半導(dǎo)體處理技術(shù)已通過(guò)認(rèn)證。這種高可靠性的功率半導(dǎo)體處理技術(shù)支持RFMD基于GaN的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計(jì)，代工客戶可通過(guò)RFMD代工服務(wù)業(yè)務(wù)部門獲得該技術(shù)。在此之前，RFMD的GaN1功率半導(dǎo)體處理技術(shù)已獲得認(rèn)證，可用于48V操作。工作電壓從48V提高到65V，這使0.5kW的微型功率設(shè)備可為L(zhǎng)波段和S波段的軍事和民用雷達(dá)應(yīng)用提供高工作效率。

RFMD多市場(chǎng)產(chǎn)品組(MPG)總裁Bob Van Buskirk表示：“我們用于65V操作的GaN1功率半導(dǎo)體處理技術(shù)通過(guò)認(rèn)證，這不僅使RFMD能夠抓住不同MPG市場(chǎng)各種高壓應(yīng)用機(jī)遇，而且還能幫助我們的代工客戶設(shè)計(jì)功率更高、更小的外圍片芯。為了更好地服務(wù)于代工客戶并開發(fā)專有的RFMD產(chǎn)品設(shè)計(jì)，RFMD將繼續(xù)優(yōu)化我們?nèi)碌腉aN處理技術(shù)，重點(diǎn)提供更高的峰值效率、更低的功率消耗及更高的線性化。”

RFMD用于48V操作的GaN1處理技術(shù)無(wú)疑是高功率半導(dǎo)體行業(yè)的性能領(lǐng)先者，而RFMD用于65V操作的GaN1處理技術(shù)的性能甚至比其更高一籌。RFMD用于65V操作的GaN1處理技術(shù)的平均無(wú)故障時(shí)間(MTTF)為4300萬(wàn)小時(shí)，其通道溫度為200 ℃，功率密度為10W，這是該行業(yè)一個(gè)重要的性能基準(zhǔn)。高可靠性的功率半導(dǎo)體處理技術(shù)適用于高壓操作，是下一代軍事、雷達(dá)、公共/國(guó)防方面移動(dòng)無(wú)線電應(yīng)用的理想選擇。

查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.rfmd.com，或者發(fā)送郵件至：RFMDFoundryServices@rfmd.com。