【產(chǎn)通社，4月22日訊】德州儀器 (TI) 官網(wǎng)消息，其TPS56221降壓轉換器集成了NexFET MOSFET且簡單易用，可為電信、網(wǎng)絡以及其它應用提供高達25A的電流。

TI電源管理業(yè)務部高級副總裁Sami Kiriaki指出：“板裝電源通常有很多電路，因而需要更高的功率密度與電源效率，尤其是那些在更強電流下工作的系統(tǒng)。這兩款新產(chǎn)品既可將我們的SWIFT系列產(chǎn)品延伸至更強電流應用的領域，又可幫助我們的客戶在功率密度、效率以及熱管理方面有所突破，從而為終端設備實現(xiàn)更低的功耗和更高的可靠性�！�

產(chǎn)品特點

25A，14V的TPS56221與SWIFT開關轉換器同步，可在12V輸入至1.3V輸出的高負載條件下，同時實現(xiàn)超過200W/in3的功率密度以及超過90%的效率，從而可在500kHz開關頻率下提供高達25A的持續(xù)輸出電流。最新TPS56121 15A、14V同步開關轉換器與其它同類產(chǎn)品相比，不但可在5V輸入至1.2V輸出下將效率提高3%，而且還可將開關速度提高2倍。

TPS56221與TPS56121采用熱增強型5 x 6毫米QFN封裝，尺寸比其它分立式解決方案小30%，僅為315mm2。這兩款器件是首批集成TI NexFET技術的產(chǎn)品，可提高熱性能、保護功能、效率以及可靠性。它們不但提供300kHz、500kHz以及1MHz三種可選頻率以實現(xiàn)更高的設計靈活性，而且還支持4.5-14V的寬泛輸入電壓。

TPS56221與TPS56121的主要特性與優(yōu)勢如下：
. 強電流與高效率：4.5-14V輸入電壓時，在25A與15A峰值負載電流下，效率可超過90%；
. 小尺寸與更高功率密度：總體解決方案尺寸僅為315mm2，可將封裝最大限度地縮小，同時實現(xiàn)超過200W/in3的功率密度；

除SWIFT轉換器的強電流性能之外，TI去年推出的 CSD86350Q5D NexFET功率塊還可在更強電流下實現(xiàn)高效率的多相位負載點設計。小巧的5 x 6毫米堆棧型MOSFET采用接地引線框架SON封裝，支持高達1.5MHz的頻率，可降低熱阻抗并簡化布局。CSD86350Q5D在25A電流下效率超過90%，且還能與TI的TPS40140堆�？刂破飨嘟Y合，在保持整個負載高效率的同時，支持多相位設計；其電流可擴展至50A、100A以及更高。

供貨與報價

TPS56221與TPS56121采用22引腳5 x 6毫米QFN封裝，該封裝有一個PowerPad散熱焊盤，易于焊接。查詢進一步信息，請訪問http://www.ti.com.cn/tps56221-pr。