【產(chǎn)通社，2月8日訊】美國國家半導(dǎo)體公司（National Semiconductor；紐約證交所上市代碼：NSM）網(wǎng)站消息，其在高速信號(hào)處理領(lǐng)域取得了全新突破，成為首個(gè)成功演示了28Gbps分立式四通道重定時(shí)器技術(shù)的半導(dǎo)體公司，這種重定時(shí)器技術(shù)具有超低功耗，可以驅(qū)動(dòng)100Gbps至400Gbps高速接口，因此適用于新一代的數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)。

該演示是在1月31日至2月3日舉行DesignCon 2011會(huì)議上進(jìn)行的。會(huì)議期內(nèi)，美國國家半導(dǎo)體在Molex公司的501號(hào)展臺(tái)和Amphenol公司的101號(hào)展臺(tái)展出了一套在日常生活中常用的背板和電纜組合現(xiàn)場演示內(nèi)置重定時(shí)器技術(shù)所實(shí)現(xiàn)的清晰輸出眼圖、零誤碼率及卓越的抖動(dòng)性能，而這些都是100Gbps至400Gbps互連接口所必須符合的技術(shù)規(guī)格。

Linley Group高級(jí)分析師Jag Bolaria表示：“互聯(lián)網(wǎng)IP流量不斷攀升，因此線路互連解決方案必須不斷提高性能，才可為光纖電纜或銅導(dǎo)線電纜提供足夠的帶寬，以支持高速信號(hào)傳輸并降低傳輸功耗。事實(shí)上，這類高性能接口解決方案一直有著強(qiáng)大的市場需求。若傳輸速度由10Gbps提高至100Gbps，芯片之間、芯片與模塊之間以及背板內(nèi)的互連線路都必須符合更嚴(yán)格的技術(shù)要求，才可確保信號(hào)完整無缺。美國國家半導(dǎo)體的重定時(shí)技術(shù)具有傳送距離更長，功耗更低等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)可確保信號(hào)的完整性，從而滿足嚴(yán)苛的技術(shù)要求�！�

Molex公司集成產(chǎn)品部集團(tuán)產(chǎn)品經(jīng)理Greg Walz表示：“新一代的數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)必須采用特殊應(yīng)用集成電路（ASICs）、互連電路和接口電路等多種不同技術(shù)才可支持100Gbps的數(shù)據(jù)傳輸率。系統(tǒng)集成商采用了美國國家半導(dǎo)體的重定時(shí)器芯片搭配Molex的互連組件，就可為以太網(wǎng)及InfiniBand系統(tǒng)開發(fā)出高達(dá)100Gbps且性能無與倫比的熱插拔輸入/輸出及背板解決方案。”

Amphenol公司產(chǎn)品市場營銷經(jīng)理Ivan Daza表示：“數(shù)據(jù)傳輸速度若高達(dá)25Gbps或以上，通過電纜、連接器及背板傳送的信號(hào)便會(huì)大量丟失。美國國家半導(dǎo)體此次演示的重定時(shí)器技術(shù)充分滿足了客戶所需。采用該技術(shù)，客戶即可通過低成本的銅導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)100Gbps的數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸，并確保傳送的信號(hào)完整無缺，且功耗遠(yuǎn)低于光纖電纜�！�

美國國家半導(dǎo)體重定時(shí)器采用該公司的第三代硅鍺（SiGe）雙極CMOS工藝及創(chuàng)新的模擬技術(shù)制造，因此可為芯片與光纖、芯片與背板以及芯片與芯片之間的接口提供28Gbps的數(shù)據(jù)傳輸路徑。采用SiGe雙極CMOS工藝技術(shù)生產(chǎn)的晶體管不但可以支持更高帶寬，且噪聲極低，因此內(nèi)置這些晶體管的高速模擬信號(hào)處理電路產(chǎn)生的抖動(dòng)極少且功耗極低。美國國家半導(dǎo)體新近推出的10Gbps中繼器系列芯片也包含以上特性。

截至目前，該系列芯片包括四通道的DS100BR410、雙通道單向的DS100BR210以及單通路雙向的DS100BR111等三款不同型號(hào)的產(chǎn)品。觀看有關(guān)25Gbps至28Gbps傳輸技術(shù)的演示視頻，請(qǐng)瀏覽http://bit.ly/28GbpsVideo。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問http://www.national.com。