飛思卡爾半導(dǎo)體（Freescale）日前宣布采用新開(kāi)發(fā)的高壓射頻功率技術(shù)，結(jié)合經(jīng)濟(jì)高效的創(chuàng)新超模壓塑料封裝，將其射頻功率解決方案擴(kuò)展至工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療（ISM）市場(chǎng)。作為要求苛刻的蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者，飛思卡爾推出了專為HF/VHF頻率間隔（10-450MHz）和2.45GHz ISM頻帶設(shè)計(jì)的晶體管，從而將其在技術(shù)和封裝方面的領(lǐng)導(dǎo)地位延伸到ISM市場(chǎng)。
    50V VHV6 RF LDMOS技術(shù)（第6代高電壓射頻橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）的開(kāi)發(fā)促成了飛思卡爾的此次擴(kuò)展。該技術(shù)在飛思卡爾廣為接受的28V LDMOS技術(shù)基礎(chǔ)上將工作電壓提高到50V，讓設(shè)計(jì)者能夠?qū)崿F(xiàn)更高的功率，超過(guò)當(dāng)前ISM市場(chǎng)上的產(chǎn)品的性能水平。此外，該設(shè)備還采用了超模壓塑料封裝，從而提供了最經(jīng)濟(jì)高效的ISM解決方案。
    飛思卡爾副總裁兼射頻部門(mén)總經(jīng)理Gavin P. Woods表示：“飛思卡爾在蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施射頻功率方面處于市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位，同時(shí)還開(kāi)發(fā)出50V LDMOS技術(shù)，這就使我們具備了得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)，能夠憑借真正的創(chuàng)新產(chǎn)品，將領(lǐng)導(dǎo)地位擴(kuò)展到ISM市場(chǎng)。此外，我們還在超模壓塑料封裝技術(shù)領(lǐng)域處于領(lǐng)導(dǎo)地位，這使我們的客戶能夠開(kāi)發(fā)最經(jīng)濟(jì)高效的ISM應(yīng)用解決方案，比如等離子發(fā)生器和磁共振成像（MRI）系統(tǒng)�！�
    飛思卡爾提供的ISM旗艦產(chǎn)品為MRF6V2300NB，它是功率為300W的50V LDMOS晶體管，其工作頻率為450MHz，采用TO-272-WB-4超模壓塑料封裝制造。該設(shè)備能夠產(chǎn)生27dB的可觀增益，效率高達(dá)68%。憑借該產(chǎn)品的這種出色性能，ISM系統(tǒng)的設(shè)計(jì)者可以消除增益級(jí)（gain stages），從而降低總系統(tǒng)成本，減少占用板卡面積。除了出類拔萃的性能以外，該設(shè)備還具有極高的穩(wěn)定性，其耐用容錯(cuò)性能達(dá)到10:1 VSWR。
    飛思卡爾正在擴(kuò)展其產(chǎn)品到兩個(gè)不同的ISM頻率市場(chǎng)：HF/VHF市場(chǎng)和2.45GHz的ISM頻帶市場(chǎng)。為了達(dá)到10-450MHz的HF/VHF頻率間隔要求，飛思卡爾提供了三種采用VHV6 50V LDMOS技術(shù)的晶體管。這些晶體管包括旗艦產(chǎn)品MRF6V2300NB、MRF6V2150NB（功率150W，效率69%，增益25dB）及MRF6V2010NB（功率10W，效率68%，增益25dB）。對(duì)于2.45GHz的ISM頻帶，飛思卡爾提供三種使用28V LDMOS技術(shù)的設(shè)備：MRF6P24190H（功率190W，效率46%，增益13dB）、MRF6S24190H（功率140W，效率46%，增益13dB）和MW6IC2420NB（二級(jí)20W，效率21%，增益21dB）。
    上述所有六種ISM設(shè)備現(xiàn)在已經(jīng)提供樣品。另外，所有三種2.45GHz的設(shè)備已經(jīng)投產(chǎn)。MRF6V2150NB計(jì)劃于2006年8月完全投產(chǎn)，而MRF6V2300NB和MRF6V2010NB則計(jì)劃于2006年第四季度完全投產(chǎn)。欲了解飛思卡爾的最新射頻功率設(shè)備的詳細(xì)信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：www.freescale.com/rf。