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IDT IDT3C02全硅CMOS振蕩器實現(xiàn)了100ppm及以下頻率精度
2010/11/4 23:20:23     

【產(chǎn)通社,11月4日訊】IDT公司(Integrated Device Technology; NASDAQ: IDTI)消息,其IDT3C02全硅CMOS振蕩器在整個溫度、電壓和其他因數(shù)方面實現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的100ppm總頻率誤差。

IDT通信事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理Fred Zust表示:“憑借其100ppm的總頻率誤差,IDT3C02不愧為計時行業(yè)的一個重大突破。作為一個晶振替代品的理想選擇,它擴展了今年早些時候發(fā)布的晶圓形式全硅CMOS振蕩器,擴展了IDT在計時領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位!


產(chǎn)品特點


IDT3C02振蕩器采用IDT專利的CMOS振蕩器技術(shù),可以用一個100ppm及以下頻率精度的單片CMOS IC取代基于石英晶體的振蕩器,并采用非常薄的外形,而無需使用任何機械頻率源或鎖相環(huán)(PLL)。該產(chǎn)品專門用于下一代存儲、數(shù)據(jù)通信和連接接口,如千兆以太網(wǎng)、SAS、超高速USB(USB 3.0)和PCI Express。該產(chǎn)品是通用石英晶體振蕩器的一種低功耗、低抖動替代方案,因此非常適合服務(wù)器和企業(yè)設(shè)計,以及采用以太網(wǎng)端口的數(shù)據(jù)通信設(shè)備。

IDT3C02振蕩器可產(chǎn)生高精度的片上頻率,而無需依賴壓電或機械諧振器。該器件支持標(biāo)準(zhǔn)的現(xiàn)成可用的CMOS工藝,采用了可編程架構(gòu),支持各種配置選項,以適應(yīng)廣泛的應(yīng)用范圍。也許這些選項中最為關(guān)鍵的是工廠可編程的工作頻率,與傳統(tǒng)的石英解決方案相比,有助于縮短交貨時間,包括特殊或罕見的頻率。

此外,IDT3C02振蕩器采用一個獨特的模擬核設(shè)計,其功耗低于2.5mA(空載典型值),從而為基于石英和PLL的高頻率振蕩器提供了一種低功耗替代方案,同時在1MHz載波偏移條件下實現(xiàn)了一流的-140dBc/Hz的相位噪聲。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的5×3.2mm石英晶體兼容封裝,即低成本、低高度的MSL1塑料IC封裝,無需陶瓷密封的封裝。

IDT3C02還具有200nA(典型值)的低功耗待機模式,以及100μs(典型值)的快速啟動時間。這些功能組合使該器件非常適合功率敏感的設(shè)計,允許頻繁的開關(guān)電源以進一步節(jié)省功耗。由于該器件不包含任何運動元件,且不使用機械或壓電電子諧振來產(chǎn)生電子頻率,全硅的單片方案實現(xiàn)了優(yōu)良的耐沖擊和振動能力。


供貨與報價


IDT3C02目前已向合格客戶提供樣品,采用的是5×3.2mm封裝。欲了解更多信息,請訪問http://www.idt.com/go/CMOS-Oscillators。

    (完)
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