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飛思卡爾半導(dǎo)體MRFE6VP6300H:世界首款50V LDMOS晶體管
2010/5/25 23:16:56     

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【產(chǎn)通社,5月25日訊】飛思卡爾半導(dǎo)體(Freescale Semiconductor)消息,其新款RF LDMOS功率管MRFE6VP6300H工作頻率為1.8至600MHz,最適于在CO2激光器、等離子體發(fā)生器和磁共振成像(MRI)掃描儀等應(yīng)用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用。MRFE6VP6300H FET是世界首款50V LDMOS晶體管,在電壓駐波比(VSWR)為65:1的負(fù)載中提供300W CW的全額定輸出功率。

飛思卡爾副總裁兼RF部門總經(jīng)理Gavin Woods表示,“這一重要技術(shù)成果又一次顯示了飛思卡爾在RF功率市場始終保持行業(yè)第一的記錄。有了這款新晶體管,CO2激光器、等離子體發(fā)生器、磁共振成像掃描儀和其他工業(yè)設(shè)備的制造商可以獲得前所未有的穩(wěn)定性和射頻功率性能!


產(chǎn)品特點(diǎn)


當(dāng)射頻功率管生成的最大功率到達(dá)天線時(shí),所有固態(tài)射頻功率放大器的運(yùn)行最有效。在理想條件下,這會(huì)產(chǎn)生1:1的VSWR,生成的全部額定功率都通過傳輸線到達(dá)負(fù)載,沒有任何額定功率反射回放大器。大部分應(yīng)用的VSWR水平很少超過2.5:1,而大部分RF功率管無論其采取什么技術(shù),都可以處理5:1或10:1的VSWR。但是,RF功率放大器用來點(diǎn)燃CO2激光器和離子發(fā)生器或在MRI系統(tǒng)里生成電磁場,都會(huì)短暫出現(xiàn)生成的額定功率幾乎全部被反射回放大器的情況。這些異常情況給大部分RF功率管帶來了難題。

飛思卡爾新推出的MRFE6VP6300H產(chǎn)品主要針對(duì)這類應(yīng)用,能夠?qū)?00W滿CW輸出功率生成高達(dá)65:1的VSWR。它是這個(gè)性能級(jí)別里唯一商用的50V LDMOS晶體管產(chǎn)品。

MRFE6VP6300H可用于推拉式或單端配置,并放置在緊湊型NI780-4陶瓷封裝中。頻率為130兆赫時(shí),該設(shè)備生成300W的CW輸出功率,增益為25分貝,效率達(dá)80%。該MRFE6VP6300H還包含創(chuàng)新的靜電放電(ESD)保護(hù)技術(shù),這不僅使它成為第三類功率器件,還支持大的柵源電壓范圍(-6V至+10V),因而在高效模式(如C類)下運(yùn)行時(shí)能提高性能。


供貨與報(bào)價(jià)


MRFE6VP6300H現(xiàn)已推出樣品,計(jì)劃將于2010年第四季度全面投產(chǎn),相關(guān)參考設(shè)計(jì)及其他支持工具現(xiàn)已上市。查詢進(jìn)一步信息,請(qǐng)?jiān)L問http://www.freescale.com/rfindustrial。

    (完)
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