【產(chǎn)通社，4月20日訊】Micron Technology（Nasdaq: MU）網(wǎng)站消息，其正在對單片2Gb（Gigabit）低功耗DDR2（LPDDR2）內(nèi)存設(shè)備進(jìn)行抽樣檢驗(yàn)，旨在向移動產(chǎn)品（如智能手機(jī)和智能本）提供改善的電池壽命和更快的系統(tǒng)性能。

“新型LPDDR2鎖定的是高端手機(jī)和智能本市場，而且這一新型的2Gb設(shè)計(jì)體現(xiàn)了Micron對這些市場的服務(wù)承諾，”Eric Spanneut，Micron的移動內(nèi)存營銷部主管說�！坝捎谠诮窈蟮膸啄曛校覀兗磳⒖吹揭詢r值為導(dǎo)向的手機(jī)市場將從LPDDR1向LPDDR2過渡，因此Micron的LPDDR2產(chǎn)品組合的設(shè)計(jì)可恰如其分地滿足這些市場的需要�！�

“LPDDR2內(nèi)存正在快速成為ARM合作伙伴所開發(fā)的整套低功耗應(yīng)用的關(guān)鍵IP模塊，”Rob Kaye，ARM的資深市場推廣部經(jīng)理說�！癆RM內(nèi)存控制器和系統(tǒng)IP與這一來自Micron的最新LPDDR2的配套性已得到驗(yàn)證，因此允許ARM的合作伙伴快速地將此款LPDDR2內(nèi)存集成到他們的設(shè)計(jì)中。”

產(chǎn)品特點(diǎn)

該款新型2Gb LPDDR2既可作為獨(dú)立設(shè)備使用，也可與Micron的大容量多芯片封裝（MCP）或?qū)盈B封裝（POP）解決方案的NAND組合使用。通過堆棧四條這樣的2Gb LPDDR2內(nèi)存設(shè)備，Micron可實(shí)現(xiàn)超高密度的8Gb解決方案。隨著當(dāng)今智能手機(jī)和智能本功能的日益豐富和應(yīng)用程序的日益密集，這對內(nèi)存的容量提出了更高的要求，以保證系統(tǒng)發(fā)揮最大的操作性能。

LPDDR2的功耗和性能優(yōu)勢可使它成為受基于ARM系統(tǒng)歡迎的移動內(nèi)存解決方案。ARM是一家提供處理器IP及其他關(guān)鍵模塊的市場領(lǐng)先者，其產(chǎn)品可使各種各樣的移動設(shè)備實(shí)現(xiàn)卓越的性能和長久的電池壽命。Micron與ARM社區(qū)緊密合作，力求將LPDDR2內(nèi)存解決方案設(shè)計(jì)到他們的移動服務(wù)中，從而向手機(jī)供應(yīng)商提供完整的封裝。

LPDDR2產(chǎn)品系列具備低功耗、高性能及溫度范圍寬泛的特點(diǎn)，有助于提高手機(jī)的性能和延長電池的壽命。具體講，Micron的LPDDR2系列：
. 可操作于1.2伏的電壓下，因此與LPDDR1相比，可降低設(shè)備內(nèi)存的功耗達(dá)50%；
. 實(shí)現(xiàn)高達(dá)每秒1066 Mb的數(shù)據(jù)傳輸速率，因此可提高移動應(yīng)用的操作能力；
. 支持電源使用管理的高級機(jī)制，因此允許關(guān)閉不需要部分的陣列電源；
. 提供寬泛的溫度范圍——華氏40度到105度 – 保證在極惡劣環(huán)境下發(fā)揮穩(wěn)定的性能。

供貨與報(bào)價

Micron希望于2010年第三季度對2Gb LPDDR2進(jìn)行量產(chǎn)。查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問http://www.micron.com。