【產(chǎn)通社，3月1日訊】RF Micro Devices (Nasdaq股市代號(hào)：RFMD)消息，正式推出其首例高功率RF CMOS開關(guān)，該器件是在領(lǐng)先的晶圓廠采用高電阻率襯底材料制作的。RFMD通過運(yùn)用這一新工藝技術(shù)及其正在申請(qǐng)專利的設(shè)計(jì)和已開發(fā)的電路方面的技術(shù)，而成功地推出了針對(duì)下一代3G和4G智能電話、其它無線手機(jī)、無線基礎(chǔ)設(shè)施、無線局域網(wǎng)（WLAN）、有線電視/寬帶及航天和國防方面應(yīng)用的高性能硅開關(guān)類產(chǎn)品系列。

RFMD蜂窩產(chǎn)品部(CPG)總裁Eric Creviston指出，“RFMD的基于CMOS的蜂窩開關(guān)產(chǎn)品具有很好的性能、尺寸和成本方面的優(yōu)點(diǎn)，還有很好的線性性能和絕緣能力，而這些因素對(duì)現(xiàn)代的3G手機(jī)而言至關(guān)重要。我們預(yù)計(jì)2010年在領(lǐng)先的3G智能電話廠商的推動(dòng)下很多客戶將陸續(xù)采用這一器件。”

RFMD總裁兼首席執(zhí)行官Bob Bruggeworth強(qiáng)調(diào)，“對(duì)RFMD而言，這些新型基于CMOS的產(chǎn)品 – 和我們整個(gè)開關(guān)和信號(hào)調(diào)節(jié)產(chǎn)品組合 – 體現(xiàn)了RFMD具有不斷增長(zhǎng)其價(jià)值比重且繼續(xù)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品多樣化的機(jī)遇。另外，同樣重要的是，當(dāng)我們將CPG部門開發(fā)的技術(shù)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）不斷轉(zhuǎn)移到多市場(chǎng)產(chǎn)品部門（MPG）所關(guān)注的市場(chǎng)方面時(shí)，我們的CMOS開關(guān)產(chǎn)品系列使得我們?cè)谕顿Y資本回報(bào)(ROIC)方面進(jìn)一步得到改進(jìn)�！�

產(chǎn)品特點(diǎn)

RFMD的CMOS蜂窩開關(guān)符合或超過了下一代3G和4G智能電話的嚴(yán)格線性和絕緣要求，同時(shí)提供了卓越的ESD性能(HBM數(shù)據(jù)在2000V)。此外，通過在同一電路板上整合控制器和RF開關(guān)，RFMD正在申請(qǐng)專利的電路方面的技術(shù)和其創(chuàng)新的高電阻率CMOS 技術(shù)可在改善產(chǎn)品性能的同時(shí)減小產(chǎn)品尺寸。這樣，與其它硅工藝技術(shù)（包括藍(lán)寶石上生長(zhǎng)硅工藝，簡(jiǎn)稱SOS工藝）相比，RFMD的硅開關(guān)器件實(shí)現(xiàn)了更低成本且更高性能的3G 解決方案。

RFMD的首例高功率CMOS蜂窩開關(guān)器件包括RF1603－單極三擲(SP3T)開關(guān)和RF1604－單極四擲(SP4T)開關(guān)。RFMD已經(jīng)給頂級(jí)客戶提供了這兩個(gè)產(chǎn)品，商業(yè)化量產(chǎn)將于今年上半年開始。后續(xù)的基于CMOS的產(chǎn)品將著重于適應(yīng)終端產(chǎn)品復(fù)雜度的不斷增加，包括RFMD用于3G智能電話的開關(guān)過濾器模組和開關(guān)復(fù)用器模組方面的日益增長(zhǎng)的產(chǎn)品組合。

RFMD提供移動(dòng)設(shè)備業(yè)界最廣泛且最創(chuàng)新的射頻元件組合，其包括蜂窩功率放大器模組、蜂窩發(fā)射模組、蜂窩開關(guān)和過濾器模組，及針對(duì)Wi-Fi, WiMAX及GPS應(yīng)用的前端。

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