安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 10月10日宣布成功開發(fā)創(chuàng)新雙緣(dual-edge)脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制器硅芯片產(chǎn)品，并開始為取得VR11電源授權(quán)廠商提供工程樣品。
     功能更加豐富、性能更加提升以及配備日益普及的無線連通等各種功能需求將持續(xù)推動計算與數(shù)字消費電子產(chǎn)品市場的發(fā)展。安森美半導(dǎo)體新推出的直流─直流轉(zhuǎn)換控制器，特別針對必須具備高轉(zhuǎn)換效率之高度穩(wěn)定低電壓電源供應(yīng)電路的有源應(yīng)用提出解決方案，以符合VR11嚴格的規(guī)格。
     安森美半導(dǎo)體模擬產(chǎn)品部高級副總裁兼總經(jīng)理施禮賢(Larry Sims)說: "安森美半導(dǎo)體成功開發(fā)這直流─直流控制器將能夠大幅強化高性能CPU主板上的電源子系統(tǒng)，這產(chǎn)品預(yù)計將在年底推出面市，更進一步加強我們現(xiàn)有的DDR控制器、通用控制器、MOSFET與分立器件等計算應(yīng)用產(chǎn)品的組合。"
     安森美半導(dǎo)體的雙緣PWM技術(shù)為業(yè)界第一個應(yīng)用于計算CPU電源。由于具有比現(xiàn)今業(yè)界產(chǎn)品速度大幅提高的瞬變負載響應(yīng)，安森美半導(dǎo)體的雙緣PWM技術(shù)將能夠讓電源管理子系統(tǒng)對使用者所進行的高效能計算進行快速反應(yīng)。和安森美半導(dǎo)體的新雙緣PWM技術(shù)比較，業(yè)界現(xiàn)有的單緣解決方案需要用高于最優(yōu)的頻率運作，或者使用大量的電容保持電路，這些選擇需要更加復(fù)雜并且體積更大的電源管理子系統(tǒng)。通過在多相位電源波形上所有相位的同時轉(zhuǎn)換，安森美半導(dǎo)體的創(chuàng)新解決方案能夠提供比業(yè)界標準單緣控制更快的反應(yīng)速度。這項改進和現(xiàn)有的前緣或后緣方案比較，將能夠讓電源管理子系統(tǒng)在更低的頻率運作，同時使用更少的保持電容。產(chǎn)品特性包括：
* 雙緣PWM對瞬變負載快速初始響應(yīng)
* 專利申請中的動態(tài)參考注入(Dynamic Reference Injection)
* +0.5%系統(tǒng)電壓精確度
* VR11遠程溫度傳感功能
* 逆向兼容VR10規(guī)格
* 無耗損差動式電感電流傳感
     具體目標應(yīng)用包括：Pentium IV處理器、VRM模塊、圖形顯示適配卡、低電壓高電流電源應(yīng)用。更多信息請訪問www.onsemi.com.cn或聯(lián)系施寶(Michael Stapleton)，電郵為michael.stapleton@onsemi.com。    （完）