【產(chǎn)通社，12月31日訊】英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies）消息，其與飛兆半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor）之間的專利侵權(quán)訴訟已達(dá)成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標(biāo)的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的14項專利。
　　
通過廣泛的半導(dǎo)體技術(shù)專利交叉許可，雙方就上述訴訟達(dá)成和解。根據(jù)和解協(xié)議，飛兆半導(dǎo)體將向英飛凌支付許可費，但協(xié)議的具體條款和條件保密。
　　
英飛凌和飛兆半導(dǎo)體將通知美國特拉華州地方法院，雙方已經(jīng)達(dá)成和解，并將申請撤訴。

目前，英飛凌目前正在和多家半導(dǎo)體公司進(jìn)行專利許可談判，這些談判對持續(xù)保護其知識產(chǎn)權(quán)和商業(yè)利益至關(guān)重要。

查詢進(jìn)一步信息，請訪問http://www.infineon.com。（楊春葉，博達(dá)公關(guān)）