【產(chǎn)通社，12月10日訊】聯(lián)華電子（UMC）消息，在9日于美國(guó)巴爾的摩舉辦的2009國(guó)際電子元件會(huì)議(International Electron Device Meeting, IEDM)中，發(fā)表了其獨(dú)特的28納米制程混合型高介電系數(shù)/金屬閘極(HK/MG)技術(shù)。此項(xiàng)方案結(jié)合了nMOS的Gate-first制程優(yōu)點(diǎn)，以及pMOS的Gate-last特性等兩項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，與僅用Gate-first制程相比，此方法可強(qiáng)化電晶體效能高達(dá)30%。

“擁有創(chuàng)新的精神，一直是在進(jìn)行先進(jìn)技術(shù)開發(fā)時(shí)的關(guān)鍵因素�！保�(lián)華電子先進(jìn)制程開發(fā)處副總簡(jiǎn)山杰表示，“此次發(fā)表的成果，展現(xiàn)了聯(lián)華電子在構(gòu)思與開發(fā)多種不同解決方案上堅(jiān)實(shí)的能力，充分運(yùn)用了由現(xiàn)有HK/MG制程選項(xiàng)中所學(xué)習(xí)到的經(jīng)驗(yàn)，來(lái)因應(yīng)今日對(duì)尖端產(chǎn)品與應(yīng)用上與日俱增的需求�！�

業(yè)界現(xiàn)有兩種不同的HK/MG整合方案同時(shí)并行，分別為Gate-first與Gate-last。以Gate-first而言，HK/MG系于閘極成型之前即置入，而Gate-last或稱Replacement metal gate，金屬閘極則是于多晶硅假閘極成型之后填入，旋即移除假閘極。除了擁有此次新提出的混合型技術(shù)之外，自從業(yè)界采用Gate-last技術(shù)量產(chǎn)CPU之后，聯(lián)華電子也一直致力于Gate-last技術(shù)之開發(fā)。聯(lián)華電子的先進(jìn)制程開發(fā)系于其臺(tái)南廠區(qū)的12吋晶圓廠與研發(fā)中心進(jìn)行中。

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