【產(chǎn)通社，11月25日訊】RF Micro Devices（Nasdaq股市代號：RFMD）網(wǎng)站消息，推出專為高功率商業(yè)和國防應用而設計的48V、30W氮化鎵(GaN)晶體管RF3931。

產(chǎn)品特點

RF3931可在單個放大器設計中和各個頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)高效率和平坦增益，通過先進的散熱和功耗技術提供卓越的熱穩(wěn)定性。

RFMD的GaN功率晶體管系列有五個類別，30W RF3931屬于其中之一，在未來兩個季度將投入批量生產(chǎn)。這些超寬帶寬功率晶體管具有10-120W不等的功率范圍，可促進各種應用的高效率HPA的發(fā)展，包括手機通信和WiMAX基礎設施、有線電視、軍事通訊、公共移動無線通信、雷達和雷達干擾臺。

供貨與報價

RF3931是RFMD首個獲得完整產(chǎn)品驗證的GaN產(chǎn)品，RFMD推出的RF產(chǎn)品須通過該流程才能投入批量生產(chǎn)。RF3931已開始向多個高功率放大器(HPA)制造商發(fā)貨，RFMD預測新GaN產(chǎn)品的推出將大幅增加GaN的發(fā)貨量。

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