【產(chǎn)通社，9月2日訊】非易失性鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商——Ramtron International公司網(wǎng)站消息，其最新推出的并口F-RAM存儲器FM14C88適合RAID(磁碟陣列)存儲服務器及主機總線適配卡(HBA card)等應用。

Ramtron市場拓展經(jīng)理李鴻鈞稱：“FM14C88的引腳和功能與CY14B256L和STK14C88-3等nvSRAM兼容，具有實時非易失性寫入和快速上電運作等優(yōu)勢，不像nvSRAM需要大電容或BBSRAM需要電池來支持斷電時的數(shù)據(jù)存儲。對比BBSRAM和nvSRAM等方案, FM14C88更能節(jié)省成本和基板空間，簡化生產(chǎn)，提高產(chǎn)品的可靠性。”

產(chǎn)品特點

與nvSRAM相比，F(xiàn)M14C88的讀寫速度更快, 工作電壓更低。FM14C88的容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，采用工業(yè)標準300mil寬度的32腳SOIC封裝，具有高速訪問、無延遲(NoDelay)寫入、幾乎無限的讀寫次數(shù)及低功耗等特點，是取代BBSRAM (電池供電的SRAM) 或非易失性SRAM (nvSRAM)等存儲器的理想方案。

FM14C88是配置為32K x 8的標準并口非易失性鐵電隨機存取存儲器(F-RAM)，讀寫操作與標準SRAM相似，能夠在斷電后保存數(shù)據(jù)，并提供超過635年(55℃) 的數(shù)據(jù)保存能力，消除BBSRAM(電池供電的SRAM) 或非易失性SRAM (nvSRAM)方案中電池，電容的不可靠性、高成本和設計復雜性等問題。F-RAM具有寫入速度快，幾乎無限的讀寫次數(shù) (寫入次數(shù)大約為1014次)等特點，使其成為RAID存儲服務器及工業(yè)自動化等應用的理想選擇。

FM14C88在系統(tǒng)內(nèi)的工作方式與其它SRAM器件類似，可以用作標準SRAM的兼容替代器件。只需開啟芯片的使能引腳或改變地址，就可進行讀寫操作。由于F-RAM存儲器采用獨特的鐵電存儲器工藝，具有非易失性的特點，所以非常適合需要頻繁或快速寫入數(shù)據(jù)的非易失性存儲應用。FM14C88 F-RAM器件的特性包括：
. 無延遲(NoDelay)寫入；
. 頁面模式工作頻率高達33MHz；
. 無需大型存儲電容器，不存在與電容相關的品質(zhì)和成本問題；
. 即時進行非易失性寫入操作；
. 上電恢復時間為250us，比nvSRAM快100倍；
. 引腳和功能與CY14B256L和STK14C88-3兼容；
. 60ns存取時間，90ns讀寫周期時間；
. 電源電壓2.0–3.6V；
. 90uA待機電流 (典型值) ；
. 7mA工作電流 (典型值)；
. 32腳“綠色”/RoHS SOIC封裝。

供貨與報價

FM14C88可在整個工業(yè)環(huán)境溫度范圍(-40°C至+85°C)工作，并獲得了全球著名RAID供應商選用。查詢進一步信息，請訪問http://www.ramtron.com.cn/press-center/press-releases。