【產(chǎn)通社，8月28日訊】飛思卡爾（Freescale Semiconductor）技術(shù)論壇消息，已經(jīng)通過引入兩個(gè)末級LDMOS RF功率晶體管，為設(shè)計(jì)人員提供介于分離式和集成式電路解決方案之間的選擇。此選擇隨同提供兩個(gè)參考設(shè)計(jì)，為設(shè)計(jì)人員帶來更好的靈活性，并且有助于縮短上市時(shí)間。新晶體管經(jīng)過優(yōu)化，用于TD-SCDMA功率放大器。

飛思卡爾副總裁兼RF部門總經(jīng)理Gavin Woods表示，“飛思卡爾為中國使用TD-SCDMA無線技術(shù)網(wǎng)絡(luò)的客戶提供高性能的解決方案，并繼續(xù)保持在LDMOS RF技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。飛思卡爾利用其在RF功率技術(shù)方面的知識(shí)和領(lǐng)先地位，支持TD-SCDMA的特定需求。目前整個(gè)中國都在迅速部署TD-SCDMA技術(shù)�！�

產(chǎn)品特點(diǎn)

飛思卡爾新型的高效器件包括MRF7P20040H LDMOS FET和MD7IC2050N多級集成功率放大器IC。它同時(shí)還推出基于Doherty架構(gòu)的兩款參考設(shè)計(jì)，從而提高了生產(chǎn)商為TD-SCDMA網(wǎng)絡(luò)創(chuàng)建緊湊型經(jīng)濟(jì)高效的、高性能基站收發(fā)器產(chǎn)品的能力。
 
飛思卡爾最新的RF LDMOS器件使構(gòu)建RF功率放大器成為可能，這些放大器經(jīng)過優(yōu)化后適合選定的設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)人員可以在分離式三級PA配置中選擇MRF7P20040H作為最終的放大器，或者在兩級PA配置中選擇MD7IC2050N IC（包括驅(qū)動(dòng)和末級放大器）。兩個(gè)器件都能很好地滿足在Doherty放大器的使用需求，并且通常部署在現(xiàn)有的基站收發(fā)器里。Doherty放大器包括在不同發(fā)射信號條件下運(yùn)行的兩臺(tái)放大器，并且它通常需要為每個(gè)放大器分別提供單獨(dú)的晶體管。

不過，飛思卡爾MRF7P20040H和MD7IC2050N支持雙路徑配置，這樣在末級放大器中用單個(gè)器件（而不是兩個(gè)）就能安裝Doherty放大器。此外，既然兩個(gè)器件都是寬帶，它們可以在為TD-SCDMA (1880-1920MHz，2010-2025MHz)分配的兩個(gè)頻帶中運(yùn)行，因此使用同一個(gè)器件可以在兩個(gè)頻帶里實(shí)現(xiàn)RF功率。這些優(yōu)勢能大大減少TD-SCDMA放大器的尺寸、計(jì)費(fèi)單以及電路的復(fù)雜程度，同時(shí)還能簡化清單管理。

Doherty放大器參考設(shè)計(jì)

飛思卡爾引入兩款Doherty放大器參考設(shè)計(jì)，能夠大幅縮短放大器的設(shè)計(jì)周期。第一款設(shè)計(jì)采用飛思卡爾MMG3014N通用放大器驅(qū)動(dòng)MD7IC2050N，以生成基于兩級IC的陣列，RF平均輸出功率為10W時(shí)交付35%的效率和45dB的總增益。第二款設(shè)計(jì)將飛思卡爾MMG3014N作為預(yù)驅(qū)動(dòng)，MW6S004N LDMOS FET作為驅(qū)動(dòng)，MRF7P20040H作為末級放大器。由此生成三級分離式陣列，RF平均輸出功率為10W時(shí)交付38%的效率和50dB的總增益。

這兩款器件包括用6載頻2025MHz TD-SCDMA測出的Doherty常見性能，其他重要特性則包括：
• MRF7P20040HS：RF輸出功率峰值為50W；平均輸出功率為10W時(shí)漏極效率為43%，增益是18dB。氣孔陶瓷封裝帶內(nèi)部匹配件，便于使用方便。
• MD7IC2050N：RF輸出功率峰值為70W；平均輸出功率為10W時(shí)漏極效率是35%，增益是29dB。片上靜態(tài)電流溫度補(bǔ)償，提供與225°C超模壓塑料封裝匹配的50歐姆片上輸入。

兩款RoHS兼容的器件都是在對稱的Doherty放大器配置中測試后再生產(chǎn)的，以提供具有保證的RF功率輸出。同時(shí)它們組合靜電放電（ESD）保護(hù)，防止由于組裝線上雜散能量導(dǎo)致的破壞。

報(bào)價(jià)和供貨

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