【產(chǎn)通社，5月9日訊】納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor；NASDAQ股票代碼：NVTS）官網(wǎng)消息，其參與NVIDIA英偉達(dá)（NASDAQ股票代碼: NVDA) 下一代800V HVDC電源架開發(fā)，旗下GaNFast氮化鎵和GeneSiC碳化硅技術(shù)將被投入研發(fā)，為Kyber機(jī)架級系統(tǒng)內(nèi)的Rubin Ultra等GPU提供電力支持。

NVIDIA 800V HVDC架構(gòu)可讓端到端能效提升5%，降低70%的維護(hù)成本（由于電源故障減少），并借助HVDC與IT機(jī)架直連技術(shù)顯著降低冷卻成本。NVIDIA 800V HVDC架構(gòu)旨在為未來AI的計算負(fù)載提供高效、可擴(kuò)展的電力傳輸能力，實現(xiàn)更高可靠性、更優(yōu)效率并簡化基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計。

納微半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Gene Sheridan表示：“納微很榮幸能夠參與到NVIDIA 800V HVDC的架構(gòu)建設(shè)當(dāng)中。我們在高功率氮化鎵與碳化硅領(lǐng)域的創(chuàng)新已開拓多個全球首例，并成功切入AI數(shù)據(jù)中心與電動汽車等新興市場。全面的產(chǎn)品組合使我們能夠支持NVIDIA從電網(wǎng)到GPU的800V HVDC完整電力基建。衷心的感謝NVIDIA對我們技術(shù)實力與推動數(shù)據(jù)中心供電革新的認(rèn)可�！�


產(chǎn)品特點


現(xiàn)行的數(shù)據(jù)中心普遍采用傳統(tǒng)的54V機(jī)架內(nèi)部配電架構(gòu)，僅能支撐數(shù)百千瓦（kW）的負(fù)載。該架構(gòu)依賴體積龐大的銅制母線將低壓電力從電源模塊傳輸至計算單元。然而，當(dāng)功率需求超過200kW時，該架構(gòu)受限于功率密度、銅材用量和系統(tǒng)效率等方面的物理極限。

為滿足日益增長的AI算力需求，現(xiàn)代AI數(shù)據(jù)中心需配置吉瓦（GW）級供電系統(tǒng)。NVIDIA創(chuàng)新性地采用固態(tài)變壓器（SST）和工業(yè)級整流器，在數(shù)據(jù)中心外直接將13.8kV交流電轉(zhuǎn)換為800V高壓直流，省去多級AC/DC和DC/DC變換環(huán)節(jié)，顯著提升能效與可靠性。

得益于800V高壓直流的高電壓特性，在相同功率傳輸要求下，可通過降低電流強(qiáng)度使銅纜直徑減少最高45%。傳統(tǒng)54V直流系統(tǒng)若需支持兆瓦級機(jī)架，將消耗超過200公斤銅材，這無法滿足吉瓦級下一代AI數(shù)據(jù)中心的可持續(xù)發(fā)展。

800V高壓直流無需額外配置AC-DC變換器，就可直接為IT機(jī)架供電，通過DC-DC變換器降壓后為包括Rubin Ultra在內(nèi)的GPU供電。

納微半導(dǎo)體憑借氮化鎵與碳化硅技術(shù)，已在AI數(shù)據(jù)中心供電解決方案領(lǐng)域確立領(lǐng)先地位。高功率GaNSafe?氮化鎵功率芯片集成了控制、驅(qū)動、感測以及關(guān)鍵的保護(hù)功能，使其在高功率應(yīng)用中具備了前所未有的可靠性和魯棒性。作為全球氮化鎵功率芯片的安全巔峰，GaNSafe具有短路保護(hù)（最大延遲350ns）、所有引腳均有2kV ESD保護(hù)、消除負(fù)柵極驅(qū)動并具備可編程的斜率控制。所有這些功能都僅通過芯片4個引腳實現(xiàn)，使得封裝可以像一個分離的氮化鎵HEMT一樣被處理，不需要額外的VCC引腳。

在二次側(cè)DC-DC變換領(lǐng)域，納微半導(dǎo)體推出80-120V的中壓氮化鎵功率器件，專為輸出48V-54V的AI數(shù)據(jù)中心電源優(yōu)化設(shè)計，可實現(xiàn)高速、高效、低占板面積的功率轉(zhuǎn)換。

憑借著在碳化硅領(lǐng)域的20年技術(shù)創(chuàng)新積累，納微GeneSiC獨家的“溝槽輔助平面柵”技術(shù)可提供業(yè)界領(lǐng)先的溫度特性，為功率需求高、可靠性要求高的應(yīng)用提供高速、低溫升運(yùn)行的功率轉(zhuǎn)換方案。第三代快速碳化硅MOSFET相較同類產(chǎn)品不僅效率顯著提升，外殼溫度也低25°C，同時使用壽命長3倍。


供貨與報價


納微GeneSiC碳化硅產(chǎn)品覆蓋650V至6.5kV超高壓全電壓范圍，已在多個兆瓦級儲能并網(wǎng)逆變器項目中成功應(yīng)用。查詢進(jìn)一步信息，請訪問官方網(wǎng)站https://navitassemi.com，或聯(lián)系info@navitassemi.com。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）